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品牌:KWAIDA奎達 | 型號:KD9435 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:FM/調頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 封裝:SOP-8

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDN340P FDN358P | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 備注:1 | 產品類型:開關管 | 是否進口:是

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4403 4403貼片 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:FM/調頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 功率:原裝數據 | 針腳數:8 | 封裝:SOP8 原裝進口

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRLR120N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:K3568 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4430 4420貼片 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:其他IC | 批號:2015+ | 封裝:SOP8

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4414 4414貼片 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:FM/調頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 功率:大 | 針腳數:8 | 封裝:SOP8

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4410 4410貼片 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:FM/調頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 功率:大 | 針腳數:8 | 封裝:SOP8 深圳全新產品

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4407A 4407A貼片 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:FM/調頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 功率:大 | 針腳數:8 | 封裝:SOP8 深圳全新產品

品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXTA180N10T | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 擊穿電壓VCBO:- | 集電極最大允許電流ICM:- | 截止頻率fT:-

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3400A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 批號:11+ | 封裝:SOT-23

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:12N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP4P40 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:TO-220-3 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP5P20 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:TO-220-3 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF540 IRF540N IRF540PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:見包裝 | 跨導:22 | 開啟電壓:見包裝 | 夾斷電壓:見包裝 | 低頻噪聲系數:見包裝 | 極間電容:見包裝 | 最大耗散功率:見包裝

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP3P20 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:TO-220-3 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:22 | 跨導:22 | 開啟電壓:222

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDH50N50 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:TO-247-3 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷