品牌:FH/風(fēng)華 | 型號(hào):FHP2N60 TO-220 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1000-4999 個(gè)
¥0.72
≥5000 個(gè)
¥0.70
品牌:華晶 | 型號(hào):CS2N60B8 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個(gè)
¥0.97
品牌:華晶 | 型號(hào):CS630A4H | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個(gè)
¥0.84
品牌:華晶 | 型號(hào):CS100N03B8 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個(gè)
¥1.14
品牌:華晶 | 型號(hào):CS1N60B3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個(gè)
¥0.52
品牌:華晶 | 型號(hào):CS1N60A1H-BD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個(gè)
¥0.36
品牌:華晶 | 型號(hào):CS7N60FA9HD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個(gè)
¥1.32
品牌:AOS/美國(guó)萬代 | 型號(hào):AO3407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):L3803S IRFB4227PBF IRFB31N20DPBF IRFB38N20DPBF IRF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | .:.
≥100 個(gè)
¥2.20
品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號(hào):IXTA180N10T | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物,MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 擊穿電壓VCBO:- | 集電極最大允許電流ICM:- | 截止頻率fT:-
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDH40N60SMD | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:P-FET硅P溝道
1-9 個(gè)
¥8.50
10-99 個(gè)
¥8.00
≥100 個(gè)
¥7.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDH50N50 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:TO-247-3 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥1000 個(gè)
¥0.01