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- MOS場(chǎng)效應(yīng)管 2N60鐵頭韓國(guó)飛虹品牌大芯片
  
  品牌:FH/風(fēng)華 | 型號(hào):FHP2N60 TO-220 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： n溝道m(xù)os管 2n60場(chǎng)效應(yīng)管
- 1000-4999 個(gè)
  
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- 華晶CS2N60B3D 高壓MOS場(chǎng)效應(yīng)管
  
  品牌:華晶 | 型號(hào):CS2N60B8 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：高壓mos管高壓場(chǎng)效應(yīng)管華晶場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
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- 華晶CS630A4H 高壓MOS場(chǎng)效應(yīng)管
  
  品牌:華晶 | 型號(hào):CS630A4H | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：高壓mos管高壓場(chǎng)效應(yīng)管華晶場(chǎng)效應(yīng)管
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- CS100N03B8 華晶高壓MOS場(chǎng)效應(yīng)管
  
  品牌:華晶 | 型號(hào):CS100N03B8 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：高壓mos管高壓場(chǎng)效應(yīng)管華晶場(chǎng)效應(yīng)管
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- CS1N60B3 華晶高壓MOS場(chǎng)效應(yīng)管
  
  品牌:華晶 | 型號(hào):CS1N60B3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：高壓mos管高壓場(chǎng)效應(yīng)管華晶場(chǎng)效應(yīng)管
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- 華晶CS1N60A1H-BD 高壓MOS場(chǎng)效應(yīng)管
  
  品牌:華晶 | 型號(hào):CS1N60A1H-BD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
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- CS7N60FA9HD 華晶高壓MOS場(chǎng)效應(yīng)管
  
  品牌:華晶 | 型號(hào):CS7N60FA9HD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：高壓mos管高壓場(chǎng)效應(yīng)管華晶場(chǎng)效應(yīng)管
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- AO3407 AOS美國(guó)萬代低壓MOS場(chǎng)效應(yīng)管
  
  品牌:AOS/美國(guó)萬代 | 型號(hào):AO3407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：美國(guó)mos管低壓場(chǎng)效應(yīng)管 aos場(chǎng)效應(yīng)管
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- MOS場(chǎng)效應(yīng)管貼片IRF3803S IRL3803S 大電流 TO263封裝
  
  品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):L3803S IRFB4227PBF IRFB31N20DPBF IRFB38N20DPBF IRF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | .:.
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：貼片mos管大電流場(chǎng)效應(yīng)管貼片場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥100 個(gè)
  
  ￥2.20
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- 貼片三極管:IXTA180N10T
  
  品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號(hào):IXTA180N10T | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 擊穿電壓VCBO:- | 集電極最大允許電流ICM:- | 截止頻率fT:-
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- MOS場(chǎng)效應(yīng)管FDH40N60SMD 40N60 TO-2470 40A 600V仙童
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDH40N60SMD | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：仙童場(chǎng)效應(yīng)管
- 1-9 個(gè)
  
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  ￥7.50
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- FSC仙童MOS場(chǎng)效應(yīng)管 FDH50N50
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDH50N50 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:TO-247-3 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： fsc場(chǎng)效應(yīng)管仙童場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
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