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品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRFBC20PBF | 溝道類型:其他 | 類型:穩壓IC | 批號:11+ 12+ | 封裝:TO-220AB

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2302CDS-T1-GE3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2302DS | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1.25W | 最大漏極電流ID:2.8A | 最大源漏電壓VDSS:20V

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2303DS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI1905DL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI1025X | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SUP60N10 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:TP0101T-T1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI1024X | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.25 | 最大漏極電流ID:0.485A | 最大源漏電壓VDSS:20V

品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF740 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 批號:新年份環保無鉛 | 封裝:TO220

應用范圍:振蕩 | 品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF1407PBF | 封裝形式:TO-220

品牌:IR/VISHAY | 型號:IRFP240PBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:耗盡型 | 類型:其他IC | 批號:2011+ | 封裝:TO-220

品牌:Vishay/威世通 | 型號:HFA08SD60STRPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3445DV-T1-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導體 | 類型:其他IC | 批號:以實物為準 | 封裝:SOT163

品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF740PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:VISHAY | 型號:SI2302DS | 功率:W | 封裝:SOT-23 | 批號:以實物為準