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- MOS場效應(yīng)管 FQPF2N60C TO-220F 2A 600V FSC仙童環(huán)保
  
  品牌:Federick美國 | 型號(hào):FQPF2N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管仙童場效應(yīng)管 fsc場效應(yīng)管
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- SI2333DS-T1-E3/開關(guān)/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-23/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2333DS-T1-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.75W | 最大漏極電流ID:-4.1A | 最大源漏電壓VDSS:-12V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： s1場效應(yīng)管 mosfet場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
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- SI3433DV/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-163/VISHAY威世
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI3433DV | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1.1W | 最大漏極電流ID:-4.3A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：威世m(xù)os管 mosfet場效應(yīng)管 vishay場效應(yīng)管
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- SI3441DV/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET -20V -3.3A SOT-163/VISHAY
  
  品牌:SILICON | 型號(hào):SI3441DV-T1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 3a場效應(yīng)管 mosfet場效應(yīng)管 vishay場效應(yīng)管
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- SI2301ADS/開關(guān)/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-23/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2301ADS | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.7W | 最大漏極電流ID:-1.75A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： s1場效應(yīng)管 mosfet場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
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  ￥0.55
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- SSM6J06FU/20V 0.65A/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):SSM6J06FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:-0.65A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 mosfet場效應(yīng)管東芝場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
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- SSM6J08FU/20V 1.3A/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):SSM6J08FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:-1.3A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 mosfet場效應(yīng)管東芝場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.48
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- SSM6J07FU/30V 0.8A/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):SSM6J07FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:-0.8A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 mosfet場效應(yīng)管東芝場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.50
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- IRLML6302/P溝道場效應(yīng)管MOSFET -20V -0.78A SOT-23/高速開關(guān)/IR
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRLML6302 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 20a場效應(yīng)管 mosfet場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.35
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- CPH6303/P溝道場效應(yīng)管MOSFET/-20V，-4A/開關(guān)/SOT-163/SANYO
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):CPH6303 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率Pd:1.6W | 最大漏極電流Id:-4A | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 20a場效應(yīng)管 mosfet場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.60
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- CPH3310/超高速開關(guān)/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-23
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):CPH3310 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-1.6A | 最大源漏電壓VDSS:-20V | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： s6場效應(yīng)管 mosfet場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- CPH3303-TL/超高速開關(guān)/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-23/SANYO
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):CPH3303-TL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1W | 最大漏極電流ID:-1.6A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： s6場效應(yīng)管 mosfet場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.38
- 詢價(jià)
- CPH3307/超高速開關(guān)/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-23/SANYO
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):CPH3307 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-3A | 最大源漏電壓VDSS:-20V | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：開關(guān)場效應(yīng)管 mosfet場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
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- 3LP01C/超高速開關(guān)/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-23
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):3LP01C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.25W | 最大漏極電流ID:-0.1A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：開關(guān)場效應(yīng)管 mosfet場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
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- UPA1915TE/P溝道場效應(yīng)管MOSFET -20V -4.5A SOT-163/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):UPA1915TE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管 mosfet場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
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- TPCF8B01/P溝道場效應(yīng)管MOS+肖特基二極管SBD/VS-8/TOSHIBA
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):TPCF8B01 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管肖特基二極管 mos場效應(yīng)管
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- TPC6104/P溝道場效應(yīng)管MOS 20V 5.5A SOT-163/筆記本手提用/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):TPC6104 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 mos場效應(yīng)管東芝場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.68
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- BSS83P/開關(guān)/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-23/Infineon
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):BSS83P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.36W | 最大漏極電流ID:-0.33A | 最大源漏電壓VDSS:-60V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：英飛凌mos管 mosfet場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.38
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- BSS192P/開關(guān)/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-89/Infineon
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):BSS192P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:-0.19A | 最大源漏電壓VDSS:-250V | 產(chǎn)品類型:其他
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：英飛凌mos管 mosfet場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.68
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- MCH3302/超高速開關(guān)/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-323/SANYO
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):MCH3302 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-1A | 最大源漏電壓VDSS:-30V | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 1a場效應(yīng)管 mosfet場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
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