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品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI5435DC | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:2.5W | 最大漏極電流ID:-5.6A | 最大源漏電壓VDSS:-30V

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3495DV | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1.1W | 最大漏極電流ID:-5.3A | 最大源漏電壓VDSS:-20V

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3447DV | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3445DV | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:ROHM/羅姆 | 型號:RTR025P02 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1 | 最大漏極電流ID:-2.5A | 最大源漏電壓VDSS:-20V

品牌:ROHM/羅姆 | 型號:RTQ025P02 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-2.5A | 最大源漏電壓VDSS:-20V | 應用范圍:放大

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDC642P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 最大漏極電流Id:-4A | 最大源漏電壓Vds:-20V | 最低耗散功率Pd:1.6W

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDC638P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率Pd:1.6W | 最大漏極電流Id:-2.8A | 最大源漏電壓Vds:-20V

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDC634P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流Id:-3.5A | 最大源漏電壓Vds:-20V | 最低耗散功率Pd:1.6W

品牌:ROHM/羅姆 | 型號:QS5U27 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1W | SBD參數:Vr=-20V，Io=1A | 應用范圍:放大

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:MCH6308 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1.5W | 最大漏極電流ID:-3.5A | 最大源漏電壓VDSS:-12V

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:MCH3309 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.9W | 最大漏極電流ID:-1.5A | 最大源漏電壓VDSS:-20V

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSV236SP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:PHILIPS/飛利浦 | 型號:BSP250 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:5W | 最大漏極電流ID:-3A | 最大源漏電壓VDSS:-30V

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2SJ502 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:Hitachi/日立 | 型號:2SJ517YYTL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2SJ381 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SJ463A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SJ461 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2SJ316 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1.5W | 最大漏極電流ID:-1A | 最大源漏電壓VDSS:-12V