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- FDN5618P 仙童P溝道場效應管
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDN5618P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝
- ≥100 個
  
  ￥0.10
- 詢價
- TO-251進口1N60場效應管
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:1N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- ≥100 個
  
  ￥0.30
- 詢價
- 創(chuàng)盟電子進口場效應管4N80
  
  品牌:仙童、英飛凌、ST…… | 型號:4N80 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- ≥100 個
  
  ￥0.58
- 詢價
- 原字進口場效應管2N60
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:2N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:n | 低頻噪聲系數:n | 極間電容:n
- ≥100 個
  
  ￥0.40
- 詢價
- 原字富士通場效應管K2655，2SK2655
  
  品牌:FUJI/富士通 | 型號:K2655，2SK2655 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:n | 低頻噪聲系數:n | 極間電容:n
- ≥50 個
  
  ￥1.40
- 詢價
- 進口場效應管RJH3077
  
  品牌:進口 | 型號:RJH3077 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:n | 最大漏極電流:n | 開啟電壓:n | 夾斷電壓:n | 低頻噪聲系數:n | 極間電容:n | 最大耗散功率:n
- ≥100 個
  
  ￥1.20
- 詢價
- 進口2N60場效應管
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:2N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC
- ≥1000 個
  
  ￥0.40
- 詢價
- 進口場效應管IR MOS系列功放專用
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:- | 低頻噪聲系數:- | 極間電容:-
- ≥25 個
  
  ￥3.50
- 詢價