應用范圍:功率 | 品牌:ST(意法半導體) | 型號:P75NF75 | 材料:其他 | 封裝形式:TO-220-3
≥1 PCS
¥1.64
品牌:RUICHIPS | 型號:RU6888S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 批號:11+ | 封裝:SMD
≥1 個
¥2.00
品牌:AO | 型號:AO4407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 類型:其他IC | 批號:12 | 封裝:貼片SOP8
≥100 個
¥0.40
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:2n60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRFBC20PBF | 溝道類型:其他 | 類型:穩壓IC | 批號:11+ 12+ | 封裝:TO-220AB
≥10500 PCS
¥10.00
品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK1940 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si)
≥10 PCS
¥0.10
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP4368 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si)
≥10 PCS
¥0.10
品牌:SL | 型號:SVF4N65T/F/D/M | 溝道類型:其他 | 類型:驅動IC | 批號:2012+ | 封裝:TO220:TO220F;TO251:TO252
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDN340P FDN358P | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 備注:1 | 產品類型:開關管 | 是否進口:是
≥10 千克
¥0.18
品牌:ROHM/羅姆 | 型號:RSR025N03 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:2.5A | 最大源漏電壓VDSS:30V | 產品類型:其他
≥3000 個
¥0.55
品牌:ROHM/羅姆 | 型號:RJU003N03 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:0.3A | 最大源漏電壓VDSS:30V | 產品類型:其他
≥3000 個
¥0.30
品牌:NEC/日本電氣 | 型號:NE5520379A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:20W | 最大漏極電流ID:1.5A | 最大源漏電壓VDSS:15V
≥1000 個
¥9.00
品牌:PHILIPS/飛利浦 | 型號:2N7002F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:0.83W | 最大漏極電流ID:0.475A | 最大源漏電壓VDSS:60V
≥3000 個
¥0.16
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK721 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 應用范圍:放大
≥1000 個
¥0.85
品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SK640 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC
≥1000 個
¥0.60
品牌:Hitachi/日立 | 型號:2SK3290BNTL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.5A | 最大源漏電壓VDSS:30V | 產品類型:其他
≥3000 個
¥0.43
品牌:Sanyo/三洋 | 型號:5HN02M-TL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:0.2A | 最大源漏電壓VDSS:50V | 應用范圍:放大
≥3000 個
¥0.35
品牌:Panasonic/松下 | 型號:2SK386209L(2SK38620TL) | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:LMP-C/阻抗變換 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大柵漏電壓VGDS:20V | 漏極電流IDSS:107~460uA | 介質材料:其他
≥3000 個
¥0.50
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4430 4420貼片 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:其他IC | 批號:2015+ | 封裝:SOP8
≥10 個
¥0.58
品牌:其他 | 型號:場效應管 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型
1-99 個
¥6.50
100-999 個
¥6.30
≥1000 個
¥6.00