免费欧美网站_国产精品成熟老女人_一区二区国产精品视频_欧美野外猛男的大粗鳮_97神马电影_色就是色欧美_免费一区二区三区在线观看_国产精品熟女一区二区不卡_国产又粗又黄又猛_真实乱视频国产免费观看

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF5852TR | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:HN1K02FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1826 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:0.05A | 最大源漏電壓VDSS:50V

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4408 4408 AO4409 4409 SOP8 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:FM/調頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 功率:大 | 針腳數:8 | 封裝:SOP8

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4403 4403貼片 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:FM/調頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 功率:原裝數據 | 針腳數:8 | 封裝:SOP8 原裝進口

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4401 4401貼片 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:FM/調頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 功率:大 | 針腳數:8 | 封裝:SOP8 全新原裝進口

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AON5802B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:2 N 溝道（雙）共漏 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:6-WFDFN 裸露焊盤 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3400 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SK1748-Z-E1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1W | 最大漏極電流ID:8A | 最大源漏電壓VDSS:60V

品牌:NATIONAL國家半導體 | 型號:fdw262p-nl | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D-G雙柵四極 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大源漏電壓Vds:-20V | 最大耗散功率Pd:1.3W | 最大漏極電流Id:-4.5A

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDJ129 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率Pd:1.6W | 最大漏極電流Id:-4.2A | 最大源漏電壓Vds:-20V

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDC604P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流Id:-5.5A | 最大源漏電壓Vds:-20V | 最低耗散功率Pd:1.6W

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:CPH6304 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率Pd:1.6W | 最大漏極電流Id:4A | 應用范圍:放大

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSC072N03LDG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:2 個 N 溝道（雙） | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:PHILIPS/飛利浦 | 型號:BF1105R | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:APEC/富鼎 | 型號:AP2301N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1.38W | 最大漏極電流ID:-2.6A | 最大源漏電壓VDSS:-20V

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO6704L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

種類:集成電路(IC) | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF3710PBF | 功率:. | 批號:10+ | 封裝:TO220

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRLR120N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷