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- 貼片TO-252 MOS場效應(yīng)管 AOD413 AOD442
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號(hào):AOD413 AOD442 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： to-252貼片場效應(yīng)管 to-252場效應(yīng)管貼片場效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- 2N7002R-02-7/開關(guān) 驅(qū)動(dòng)/N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOS/SOT-23
  
  品牌:DIODES/美臺(tái) | 型號(hào):2N7002R-02-7 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:TR/激勵(lì)、驅(qū)動(dòng) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:0.115A | 最大源漏電壓VDSS:60V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 7n60場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.12
- 詢價(jià)
- 2SK3292-TD-E/超高速開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOS/SOT-89
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):2SK3292-TD-E | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1.5W | 最大漏極電流ID:2A | 最大源漏電壓VDSS:60V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 2n60場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.60
- 詢價(jià)
- 2SK3119/N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOS 20V 2A SOT-89/超高速開關(guān)/三洋
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):2SK3119 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：開關(guān)場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.60
- 詢價(jià)
- 2SK2980/N溝道場效應(yīng)管MOS 30V 1A SOT-23/高速電源開關(guān)/HITACHI
  
  品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):2SK2980 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：日立場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.45
- 詢價(jià)
- 2SK2910-TB-E/超高速開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOS/SOT-23/SANYO
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):2SK2910-TB-E | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.25W | 最大漏極電流ID:0.8A | 最大源漏電壓VDSS:30V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：開關(guān)場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- 2SK2911/超高速開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOS/SOT-23/SANYO
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):2SK2911 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.25W | 最大漏極電流ID:0.25A | 最大源漏電壓VDSS:100V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 100a場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.43
- 詢價(jià)
- 2SK3019/開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOS/SOT-523/ROHM
  
  品牌:ROHM/羅姆 | 型號(hào):2SK3019 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.1A | 最大源漏電壓VDSS:30V | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： rohm場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.12
- 詢價(jià)
- 2SK2315/高速功率開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-89/日立
  
  品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):2SK2315 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1W | 最大漏極電流ID:2A | 最大源漏電壓VDSS:60V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.60
- 詢價(jià)
- n溝道mos場效應(yīng)管高壓功率mos場效應(yīng)管P3055LDG
  
  品牌:NIKO | 型號(hào):P3055LDG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：高壓mos管 n溝道場效應(yīng)管高壓場效應(yīng)管
- 100-999 個(gè)
  
  ￥0.40
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.35
- 詢價(jià)
- TP0101T-T1/場效應(yīng)管MOS P溝道 -20V -0.6A SOT-23/驅(qū)動(dòng)/Vishay
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):TP0101T-T1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng) 驅(qū)動(dòng)場效應(yīng)管 vishay場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.42
- 詢價(jià)
- CPH3409/超高速開關(guān)/N溝道場效應(yīng)管MOSFET 30V 5A SOT-23/SANYO
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):CPH3409 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- CPH3308/P溝道場效應(yīng)管MOSFET -30V -4A SOT-23/超高速開關(guān)/三洋
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):CPH3308 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- 5LN01C/超高速開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOS/SOT-23/SANYO
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):5LN01C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.25W | 最大漏極電流ID:0.1A | 最大源漏電壓VDSS:50V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 5a場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- 5HN02M-TL/超高速開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOS/SOT-323/SANYO
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):5HN02M-TL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:0.2A | 最大源漏電壓VDSS:50V | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 5n50場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.35
- 詢價(jià)
- 5HN01M/超高速開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOS/SOT-323/SANYO
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):5HN01M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:0.1A | 最大源漏電壓VDSS:50V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 5a場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.35
- 詢價(jià)
- 5HN01C/超高速開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOS/SOT-23/SANYO
  
  品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):5HN01C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.25W | 最大漏極電流ID:0.1A | 最大源漏電壓VDSS:50V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 5a場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.35
- 詢價(jià)
- 2SK386209L2SK38620TL/N溝道結(jié)型場效應(yīng)管JFET/SOT-523
  
  品牌:Panasonic/松下 | 型號(hào):2SK386209L(2SK38620TL) | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:LMP-C/阻抗變換 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大柵漏電壓VGDS:20V | 漏極電流IDSS:107~460uA | 介質(zhì)材料:其他
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.50
- 詢價(jià)
- 3SK242/雙柵N溝道場效應(yīng)管MOS 20V 25mA SOT-343/RF放大混頻/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):3SK242 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:D-G雙柵四極 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管 n溝道場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.70
- 詢價(jià)
- 3SK132A/RF放大/雙柵極 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOS/SOT-143/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):3SK132A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:TUN/調(diào)諧 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:0.025A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管 n溝道場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.70
- 詢價(jià)

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