品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:ssm3k02f | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:1A | 最大源漏電壓VDSS:30V
≥3000 個
¥0.40
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3J09FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:-0.2A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
≥3000 個
¥0.43
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3J15FS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥3000 個
¥0.40
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT60M102.GT60M301.GT60M104 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:60 | 截止頻率fT:1
≥2 個
¥9.20
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K2611 2SK2611 K2837 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 擊穿電壓VCBO:V | 集電極最大允許電流ICM:A | 截止頻率fT:MHZ
≥2000 個
¥1.20
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:74LCX138MX | 溝道類型:其他
≥1 PCS
¥2.00
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1120.2SK1359 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥2 個
¥3.00
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK4108,K4108 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
¥1.00
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK15A60U TO-220F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
≥1 個
¥3.00
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K3569 2SK3569 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:SB肖特基勢壘柵 | 最大漏極電流:33 | 跨導(dǎo):3 | 開啟電壓:33 | 夾斷電壓:3 | 低頻噪聲系數(shù):33 | 極間電容:33 | 最大耗散功率:33
≥1 個
¥0.60
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K1117 2SK1117 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導(dǎo):標準 | 最大漏極電流:6A | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:600 | 低頻噪聲系數(shù):低 | 極間電容:標準 | 最大耗散功率:100W
100-999 個
¥0.50
≥1000 個
¥0.40
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2615(TE12L,F(xiàn)) | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝
1000-4999 個
¥2.20
5000-9999 個
¥2.10
≥10000 個
¥2.00
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TA78M15F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體
≥100 個
¥0.63
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2549 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅(qū)動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.5W | 最大漏極電流ID:2A | 最大源漏電壓VDSS:16V
≥1000 個
¥0.60
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3J02F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:-0.6A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
≥3000 個
¥0.40
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3J05FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝
≥3000 個
¥0.40
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3J01F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-0.7A | 最大源漏電壓VDSS:-30V | 應(yīng)用范圍:放大
≥3000 個
¥0.40
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2037 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大漏極電流ID:0.1A | 最大源漏電壓VDSS:20V
≥3000 個
¥0.30
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2034 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大漏極電流ID:0.1A | 最大源漏電壓VDSS:20V
≥3000 個
¥0.35
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1827 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大漏極電流ID:0.05A | 最大源漏電壓VDSS:50V
≥3000 個
¥0.25