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- ssm3k02f/高速開關(guān)/N溝道增強型場效應(yīng)管MOS/SOT-23/TOSHIBA
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:ssm3k02f | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:1A | 最大源漏電壓VDSS:30V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.40
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- SSM3J09FU/高速開關(guān)/P溝道增強型場效應(yīng)管MOS/SOT-323/TOSHIBA
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3J09FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:-0.2A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.43
- 詢價
- SSM3J15FS/P溝道場效應(yīng)管MOS 30V 100mA SOT-523/高速開關(guān)/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3J15FS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.40
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- GT60M102.GT60M104.GT60M301東芝900V 60A
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT60M102.GT60M301.GT60M104 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:60 | 截止頻率fT:1
- ≥2 個
  
  ￥9.20
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- 場效應(yīng)管K2611 2SK2611 K2837
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K2611 2SK2611 K2837 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 擊穿電壓VCBO:V | 集電極最大允許電流ICM:A | 截止頻率fT:MHZ
- ≥2000 個
  
  ￥1.20
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- 東芝場效應(yīng)管 2SK3562 K3562 6A 600V 40W TO-220F
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:74LCX138MX | 溝道類型:其他
- ≥1 PCS
  
  ￥2.00
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- 2SK1120 高壓場效應(yīng) 東芝 1000V 7A 150W
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1120.2SK1359 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥2 個
  
  ￥3.00
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- 東芝場效應(yīng)管2SK4108，K4108
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK4108，K4108 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1000 個
  
  ￥1.00
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- TK15A60U TO-220F 進口東芝品牌場效應(yīng)管
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK15A60U TO-220F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
- ≥1 個
  
  ￥3.00
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- 東芝場效應(yīng)管 K3569 2SK3569 /散新
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K3569 2SK3569 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:SB肖特基勢壘柵 | 最大漏極電流:33 | 跨導(dǎo):3 | 開啟電壓:33 | 夾斷電壓:3 | 低頻噪聲系數(shù):33 | 極間電容:33 | 最大耗散功率:33
- ≥1 個
  
  ￥0.60
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- 東芝MOS管K1117 2SK1117
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K1117 2SK1117 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導(dǎo):標準 | 最大漏極電流:6A | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:600 | 低頻噪聲系數(shù):低 | 極間電容:標準 | 最大耗散功率:100W
- 100-999 個
  
  ￥0.50
- ≥1000 個
  
  ￥0.40
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- 東芝場效應(yīng)管2SK2615TE12L,F
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2615(TE12L，F(xiàn)) | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝
- 1000-4999 個
  
  ￥2.20
- 5000-9999 個
  
  ￥2.10
- ≥10000 個
  
  ￥2.00
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- TA78M15F TOSHIBA/東芝 TO-252 環(huán)保
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TA78M15F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體
- ≥100 個
  
  ￥0.63
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- 2SK2549/開關(guān) 驅(qū)動/N溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-89/TOSHIBA
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2549 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅(qū)動 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.5W | 最大漏極電流ID:2A | 最大源漏電壓VDSS:16V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥1000 個
  
  ￥0.60
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- SSM3J02F/高速開關(guān)/P溝道增強型場效應(yīng)管MOS/SOT-23/TOSHIBA
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3J02F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:-0.6A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.40
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- SSM3J05FU/P溝道場效應(yīng)管MOS 20V 0.2A SOT-323/高速開關(guān)/TOSHIBA
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3J05FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.40
- 詢價
- SSM3J01F/高速開關(guān)/P溝道增強型場效應(yīng)管MOS/SOT-23/TOSHIBA
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3J01F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-0.7A | 最大源漏電壓VDSS:-30V | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.40
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- 2SK2037/高速開關(guān) 模擬開關(guān)/N溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-323
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2037 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大漏極電流ID:0.1A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.30
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- 2SK2034/開關(guān)/N溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-323/TOSHIBA
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2034 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大漏極電流ID:0.1A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.35
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- 2SK1827/開關(guān)/N溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-323/TOSHIBA
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1827 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大漏極電流ID:0.05A | 最大源漏電壓VDSS:50V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.25
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