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- SSM6P41FE/復(fù)合MOS管雙P溝道 -20V -0.72A SOT-563/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6P41FE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管復(fù)合mos管
- ≥3000 個
  
  ￥0.55
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- SSM6N16FE/復(fù)合場效應(yīng)管MOSFET 雙N溝道 20V 0.1A SOT-563/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6N16FE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管東芝場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.48
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- SSM6N7002FU/復(fù)合場效應(yīng)管雙NMOS 60V 0.2A SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6N7002FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥3000 個
  
  ￥0.25
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- SSM6E01TU/復(fù)合場效應(yīng)管MOSFET N+P溝道 SOT-363/TOSHIBA
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6E01TU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | Nch MOSFET參數(shù):Vds=20V，Id=0.05A | 最大耗散功率PD:0.5W | Pch MOSFET參數(shù):Vds=-12V，Id=-1A
- ≥3000 個
  
  ￥0.55
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- SSM3K15F/增強型場效應(yīng)管NMOS 30V 100mA SOT-23/高速開關(guān)/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3K15F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥3000 個
  
  ￥0.40
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- SSM6K06FU/20V 1.1A/N溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6K06FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率Pd:0.3W | 最大漏極電流ID:1.1A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管東芝場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.40
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- SSM6K07FU/30V 1.5A/N溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6K07FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:1.5A | 最大源漏電壓VDSS:30V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管東芝場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.58
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- SSM6K08FU/20V 1.6A/N溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6K08FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:1.6A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管東芝場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.58
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- SSM6J06FU/20V 0.65A/P溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6J06FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:-0.65A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管東芝場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.48
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- SSM3K15FS/N溝道場效應(yīng)管MOSFET 30V 0.1A SOT-523/高速開關(guān)/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3K15FS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.45
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- 場效應(yīng)管TO-247封裝2SK2607/K2607
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2607/K2607/K2611/2SK2611 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥2000 個
  
  ￥0.90
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- 場效應(yīng)管K3878/2SK3878
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K3878/2SK3878 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:/ | 低頻噪聲系數(shù):/ | 極間電容://
- ≥1000 個
  
  ￥2.65
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- 2SK3934 Toshiba/東芝場效應(yīng)管 500V 15A
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3934 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥10 個
  
  ￥3.50
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- SSM3K7002F/高速開關(guān) 模擬開關(guān)/N溝道增強型場效應(yīng)管MOS/SOT-23
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3K7002F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.2A | 最大源漏電壓VDSS:60V | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.40
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- SSM3K302T/功率開關(guān) 高速開關(guān)/N溝道增強型場效應(yīng)管MOS/SOT-23
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3K302T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.7W | 最大漏極電流ID:3A | 最大源漏電壓VDSS:30V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.40
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- SSM3K7002FU/高速開關(guān)/N溝道增強型場效應(yīng)管MOS/SOT-323
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3K7002FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:0.2A | 最大源漏電壓VDSS:60V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
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  ￥0.40
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- SSM3K104TU/N溝道場效應(yīng)管MOS 20V 3A SOT-323 1.8V驅(qū)動/TOSHIBA
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3K104TU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管驅(qū)動場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.50
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- SSM3K03TE/高速開關(guān)/N溝道增強型場效應(yīng)管MOS/SOT-523/TOSHIBA
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3K03TE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大漏極電流ID:0.1A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.40
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- SSM3J09FU/高速開關(guān)/P溝道增強型場效應(yīng)管MOS/SOT-323/TOSHIBA
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3J09FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:-0.2A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.43
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- SSM3J15FS/P溝道場效應(yīng)管MOS 30V 100mA SOT-523/高速開關(guān)/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3J15FS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.40
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