品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6P41FE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥3000 個
¥0.55
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6N16FE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個
¥0.48
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6N7002FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個
¥0.25
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6E01TU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | Nch MOSFET參數(shù):Vds=20V,Id=0.05A | 最大耗散功率PD:0.5W | Pch MOSFET參數(shù):Vds=-12V,Id=-1A
≥3000 個
¥0.55
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3K15F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個
¥0.40
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6K06FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率Pd:0.3W | 最大漏極電流ID:1.1A | 最大源漏電壓VDSS:20V
≥3000 個
¥0.40
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6K07FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:1.5A | 最大源漏電壓VDSS:30V
≥3000 個
¥0.58
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6K08FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:1.6A | 最大源漏電壓VDSS:20V
≥3000 個
¥0.58
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6J06FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:-0.65A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
≥3000 個
¥0.48
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3K15FS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝
≥3000 個
¥0.45
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2607/K2607/K2611/2SK2611 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥2000 個
¥0.90
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K3878/2SK3878 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:/ | 低頻噪聲系數(shù):/ | 極間電容://
≥1000 個
¥2.65
品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3934 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個
¥3.50
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3K7002F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.2A | 最大源漏電壓VDSS:60V | 應(yīng)用范圍:放大
≥3000 個
¥0.40
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3K302T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.7W | 最大漏極電流ID:3A | 最大源漏電壓VDSS:30V
≥3000 個
¥0.40
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3K7002FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:0.2A | 最大源漏電壓VDSS:60V
≥3000 個
¥0.40
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3K104TU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個
¥0.50
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3K03TE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大漏極電流ID:0.1A | 最大源漏電壓VDSS:20V
≥3000 個
¥0.40
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3J09FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:-0.2A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
≥3000 個
¥0.43
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3J15FS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥3000 個
¥0.40