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品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TPCF8301 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6P41FE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM5G04TU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 肖特基二極管SBD參數:Vrrm=15V，Io=0.5A | 場效應管MOSFET參數:Vds=-12V，Id=-1A，Pd=0.5W

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6J06FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:-0.65A | 最大源漏電壓VDSS:-20V

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6J08FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:-1.3A | 最大源漏電壓VDSS:-20V

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6J07FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:-0.8A | 最大源漏電壓VDSS:-30V

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K8A65D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:穩壓IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TPCF8B01 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TPC6104 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3J09FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:-0.2A | 最大源漏電壓VDSS:-30V

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3J15FS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3J02F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:-0.6A | 最大源漏電壓VDSS:-30V

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3J01F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-0.7A | 最大源漏電壓VDSS:-30V | 應用范圍:放大

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TPC8111 TPC8302 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HI-REL/高可靠性 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TPC8301 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HI-REL/高可靠性 | 材料:P-FET硅P溝道 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 最大耗散功率:1

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1603 K1603 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SJ610 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:20W | 最大漏極電流ID:-2A | 最大源漏電壓VDSS:-250V

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK6A65D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:穩壓IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SJ347 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SJ344 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道