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- 進(jìn)口東芝場(chǎng)效應(yīng)管 K30A-GR
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):K30A-GR | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 應(yīng)用范圍:放大
- ≥5000 個(gè)
  
  ￥1.45
- 詢價(jià)
- 主推東芝場(chǎng)效應(yīng)管2SK3878
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):2SK3878 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- 10-99 個(gè)
  
  ￥4.00
- 100-499 個(gè)
  
  ￥3.70
- ≥500 個(gè)
  
  ￥3.60
- 詢價(jià)
- TOS 2SK3878 場(chǎng)效應(yīng) TO-3P
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK3878 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1 個(gè)
  
  ￥5.50
- 詢價(jià)
- GT60M102.GT60M104.GT60M301東芝900V 60A
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):GT60M102.GT60M301.GT60M104 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:60 | 截止頻率fT:1
- ≥2 個(gè)
  
  ￥9.20
- 詢價(jià)
- TA78M15F TOSHIBA/東芝 TO-252 環(huán)保
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):TA78M15F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.63
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管2SK3767/K3767
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK3767/K3767 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:通信IC | 批號(hào):12+ | 封裝:TO-220F
- ≥5 個(gè)
  
  ￥1.65
- 詢價(jià)
- TOS K1358 場(chǎng)效應(yīng) TO-3P
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):K1358 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1 個(gè)
  
  ￥5.00
- 詢價(jià)
- 2SK4002 TOSHIBA TO-251
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):2SK4002 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥100 個(gè)
  
  ￥1.45
- 詢價(jià)
- 2SK1529 場(chǎng)效應(yīng) TOS TO-3P
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK1529 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥10 個(gè)
  
  ￥1.00
- 詢價(jià)
- FQU10N20L
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):FQU10N20L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
- ≥10 個(gè)
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- GT60J323
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):GT60J323 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
- ≥1 個(gè)
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- 2SK3878 K3878 場(chǎng)效應(yīng)管MOS管電焊機(jī)專用東芝
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):2SK3878 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝場(chǎng)效應(yīng)管
- 10-99 個(gè)
  
  ￥4.00
- ≥100 個(gè)
  
  ￥3.85
- 詢價(jià)
- 2SK3878 K3878 場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管電焊機(jī)專用進(jìn)口東芝
  
  品牌:進(jìn)口/臺(tái)灣/國產(chǎn) | 型號(hào):2SK3878 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1000 千克
  
  ￥0.01
- 詢價(jià)