久久先锋影音av,国产综合在线看,天天躁日日躁aaaa视频

- 進(jìn)口東芝場效應(yīng)管 2SK30ATM-GR
  
  品牌:ON/安森美 | 型號:2SK30ATM-GR | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥10000 個(gè)
  
  ￥1.45
- 詢價(jià)
- 進(jìn)口東芝場效應(yīng)管 K30A-GR
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號:K30A-GR | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 應(yīng)用范圍:放大
- ≥5000 個(gè)
  
  ￥1.45
- 詢價(jià)
- 東芝進(jìn)口　開關(guān)電源場效應(yīng)管 TK8A65D
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK8A65D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:穩(wěn)壓IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F
- ≥5000 個(gè)
  
  ￥1.65
- 詢價(jià)
- 3SK232/調(diào)諧器 RF放大/N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOS/SOT-143
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:3SK232 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:TUN/調(diào)諧 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:0.03A | 最大源漏電壓VDSS:12.5V
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.70
- 詢價(jià)
- 3SK199/TV調(diào)諧 RF放大/N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOS/SOT
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:3SK199 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:TV/電視 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.03A | 最大源漏電壓VDSS:13.5V | 應(yīng)用范圍:放大
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.70
- 詢價(jià)
- 2SK210-BL/調(diào)諧高頻放大/N溝道結(jié)型場效應(yīng)管JFET/SOT-23/TOSHIBA
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK210-BL | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大柵漏電壓VGDS:-18V | 漏極電流IDSS:12~24mA
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥1.30
- 詢價(jià)
- 2SK211-Y/調(diào)諧高頻放大/N溝道結(jié)型場效應(yīng)管JFET/SOT-23/TOSHIBA
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK211-Y | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大柵漏電壓VGDS:-18V | 漏極電流IDSS:2.5~6mA
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.85
- 詢價(jià)
- 2SK1875/高頻音頻放大/N溝道結(jié)型場效應(yīng)管JFET/SOT-323
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1875 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大柵漏電壓VGDS:-20V | 漏極電流IDSS:16~32mA
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥1.20
- 詢價(jià)
- 場效應(yīng)管TK80E08/TK80E06
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK80E08 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:通信IC | 批號:12+ | 封裝:TO-220
- ≥5 個(gè)
  
  ￥2.00
- 詢價(jià)
- 2SK3568 進(jìn)口 TOSHIBA
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3568 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥10 個(gè)
  
  ￥2.30
- 詢價(jià)
- 2SK3569 進(jìn)口TOSHIBA
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3569 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥10 個(gè)
  
  ￥1.90
- 詢價(jià)
- TOS東芝2SK4108、2SK4108
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK4108 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:TO-247
- ≥50 個(gè)
  
  ￥5.45
- 詢價(jià)
- TOS東芝2SK4111、2SK4111
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK4111 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:TO-220F
- ≥50 個(gè)
  
  ￥2.60
- 詢價(jià)
- SSM6N16FE/復(fù)合場效應(yīng)管MOSFET 雙N溝道 20V 0.1A SOT-563/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6N16FE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管東芝場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.48
- 詢價(jià)
- SSM6N7002FU/復(fù)合場效應(yīng)管雙NMOS 60V 0.2A SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6N7002FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.25
- 詢價(jià)
- SSM6E01TU/復(fù)合場效應(yīng)管MOSFET N+P溝道 SOT-363/TOSHIBA
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6E01TU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | Nch MOSFET參數(shù):Vds=20V，Id=0.05A | 最大耗散功率PD:0.5W | Pch MOSFET參數(shù):Vds=-12V，Id=-1A
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.55
- 詢價(jià)
- SSM3K15F/增強(qiáng)型場效應(yīng)管NMOS 30V 100mA SOT-23/高速開關(guān)/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3K15F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- HN7G02FU/復(fù)合管 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET+PNP/SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:HN7G02FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.05A | 最大源漏電壓VDSS:20V | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管東芝場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.55
- 詢價(jià)
- 原盤編帶貼片場效應(yīng)管 2SK2782場效應(yīng)管 K2782場效應(yīng)管
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2782 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導(dǎo):22 | 開啟電壓:22 | 夾斷電壓:22
- ≥11 個(gè)
  
  ￥1.00
- 詢價(jià)
- SSM6K06FU/20V 1.1A/N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6K06FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率Pd:0.3W | 最大漏極電流ID:1.1A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管東芝場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)