品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):SSM6N7002FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個(gè)
￥0.25
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):SSM3K7002FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:0.2A | 最大源漏電壓VDSS:60V
≥3000 個(gè)
￥0.40
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):K15A60D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
100-999 個(gè)
￥4.00
≥1000 個(gè)
￥3.00
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK4112 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
≥50 個(gè)
￥0.01
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK2842，K2842 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:N | 低頻噪聲系數(shù):N | 極間電容:N
≥100 個(gè)
￥0.80
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):K2837，2SK2837 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | n:n
≥20 個(gè)
￥2.00
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):K2717，2SK2717 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:P-FET硅P溝道 | N:N
≥100 個(gè)
￥0.65
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):K2917，2SK2917 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:O/振蕩 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:n | 低頻噪聲系數(shù):n | 極間電容:n
≥100 個(gè)
￥1.30
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):K2610，2SK2610 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:N | 低頻噪聲系數(shù):N | 極間電容:N
≥50 個(gè)
￥1.45
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):K2995，2SK2995 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:O/振蕩 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:n | 低頻噪聲系數(shù):n | 極間電容:n
≥50 個(gè)
￥0.90
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):8P10，12P10 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:* | 低頻噪聲系數(shù):* | 極間電容:*
≥100 個(gè)
￥1.00
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):K3264 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
￥2.00
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SJ103 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥100 個(gè)
￥0.75
類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK1118 | 功率:3W | 用途:音響 | 封裝:TO-220 | 批號(hào):12+ | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結(jié)型(JFET)
≥1 個(gè)
￥3.00
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK3561 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:詳見規(guī)格書 | 跨導(dǎo):詳見規(guī)格書 | 開啟電壓:詳見規(guī)格書 | 夾斷電壓:詳見規(guī)格書 | 低頻噪聲系數(shù):詳見規(guī)格書 | 極間電容:詳見規(guī)格書 | 最大耗散功率:詳見規(guī)格書
≥1000 個(gè)
￥2.45
品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):2SC2878-B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 批號(hào):以實(shí)物為準(zhǔn) | 加工定制:否 | 封裝:TO-92
10-499 個(gè)
￥1.00
≥500 個(gè)
￥0.80