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品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK80E08 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:通信IC | 批號:12+ | 封裝:TO-220

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK4108 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:TO-247

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK4111 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:TO-220F

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SC5404 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2782 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:22 | 開啟電壓:22 | 夾斷電壓:22

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:TK15A50D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 功率:原廠規格 | 封裝:TO-220F

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:k2995 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:A | 截止頻率fT:MHZ

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3301 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K2746 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK15A60U TO-220F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K1117 2SK1117 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:標準 | 最大漏極電流:6A | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:600 | 低頻噪聲系數:低 | 極間電容:標準 | 最大耗散功率:100W

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TA78M15F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2843 | 用途:A/寬頻帶放大 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開啟電壓:1 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:1 | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2sk2648 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MIN/微型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:11 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2382 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:20000 | 跨導:10 | 開啟電壓:150 | 夾斷電壓:20 | 低頻噪聲系數:10 | 極間電容:10 | 最大耗散功率:100

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:TPCA8012-H | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅動 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K1358 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK4002 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2312 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:面議 | 跨導:面議 | 開啟電壓:面議 | 夾斷電壓:面議 | 低頻噪聲系數:面議 | 極間電容:面議 | 最大耗散功率:面議

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2837 2SK4107 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:15000 | 低頻噪聲系數:28 | 極間電容:2