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品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3K15FS SSM3K15FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 備注:DO-207 | 產品類型:MOS管 | 是否進口:是

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3561 K3561 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 跨導:22 | 開啟電壓:22 | 夾斷電壓:22

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK170 2SK170-BL K170 2SJ74 J74 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 封裝形式:直插型 | 封裝:TO-92 | 應用范圍:放大

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK13A65U K13A65U | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SJ103 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3416 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:5 | 跨導:5 | 開啟電壓:5 | 夾斷電壓:5 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:5 | 最大耗散功率:5

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K4107 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:功放 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGAAS鋁鎵砷

品牌:HSS | 型號:K3878 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 動力形式:電焊 | 電流:直流 | 焊接方式:拉弧式

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3561 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:詳見規格書 | 跨導:詳見規格書 | 開啟電壓:詳見規格書 | 夾斷電壓:詳見規格書 | 低頻噪聲系數:詳見規格書 | 極間電容:詳見規格書 | 最大耗散功率:詳見規格書