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品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):TK15A60U TO-220F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK1745 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK3569 SC-67 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK2231 2-7J1B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK2173 SC-65 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK1542 TO-220AB | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK1365 2-16F1B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK1359 2-16C1B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1