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- 1N60場(chǎng)效應(yīng)管 2N60場(chǎng)效應(yīng)管 4N60場(chǎng)效應(yīng)管
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):1N60 2N60 3N60 4N60 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:4 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:600 | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 4n60場(chǎng)效應(yīng)管 2n60場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1 PCS
  
  ￥1.00
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管插件1N60 TO-92 仙童
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):IC場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管插件1N60 TO-92 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：仙童mos管仙童場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1 K
  
  ￥1.00
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管FHD2N60;4N65;5N60;6N60;7N60;7N65,1N60
  
  品牌:韓國(guó)FH | 型號(hào):FHD4N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 4n60場(chǎng)效應(yīng)管 5n60場(chǎng)效應(yīng)管 7n60場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥2000 個(gè)
  
  ￥1.10
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管1N60，2N60
  
  品牌:進(jìn)口 | 型號(hào):1N60，2N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導(dǎo):. | 最大漏極電流:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 2n60場(chǎng)效應(yīng)管 2n60拆機(jī)
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.45
- 詢價(jià)
- 進(jìn)口場(chǎng)效應(yīng)管2N60 1N60
  
  品牌:ST/意法 | 型號(hào):2N60 1N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:標(biāo)準(zhǔn) | 跨導(dǎo):標(biāo)準(zhǔn) | 開啟電壓:標(biāo)準(zhǔn) | 夾斷電壓:標(biāo)準(zhǔn) | 低頻噪聲系數(shù):標(biāo)準(zhǔn) | 極間電容:標(biāo)準(zhǔn) | 最大耗散功率:標(biāo)準(zhǔn)
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大功率場(chǎng)效應(yīng)管 2n60場(chǎng)效應(yīng)管 2n60拆機(jī)
- 500-999 個(gè)
  
  ￥0.35
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.30
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管1N60，2N60
  
  品牌:進(jìn)口 | 型號(hào):1N60，2N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 2n60場(chǎng)效應(yīng)管 2n60拆機(jī)
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.45
- 詢價(jià)
- MOS管場(chǎng)效應(yīng)管1N60 2N60 4N60
  
  品牌:SILAN/士蘭微 | 型號(hào):1N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:MA | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:650 | 夾斷電壓:650 | 低頻噪聲系數(shù):DB | 極間電容:PS | 最大耗散功率:MW
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 4n60場(chǎng)效應(yīng)管 2n60場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.80
- 詢價(jià)
- 功率開關(guān)電路用MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管1N60/IN60 TO-92封裝1A/600V可編帶
  
  品牌:WG | 型號(hào):1N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管 1a場(chǎng)效應(yīng)管
- 500-1999 個(gè)
  
  ￥0.28
- 2000-4999 個(gè)
  
  ￥0.25
- ≥5000 個(gè)
  
  ￥0.24
- 詢價(jià)
- 品牌UTC進(jìn)口高壓MOS場(chǎng)效應(yīng)管1N60 TO-92 600V 1.2A
  
  品牌:臺(tái)灣友順UTC | 型號(hào):N-MOS FET | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管高壓場(chǎng)效應(yīng)管
- 100-999 個(gè)
  
  ￥0.50
- 1000-9999 個(gè)
  
  ￥0.45
- ≥10000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- 1N60 TO-252 仙童場(chǎng)效應(yīng)管
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):1N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:1000 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:- | 夾斷電壓:- | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1000
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： to-252場(chǎng)效應(yīng)管仙童場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥2500 個(gè)
  
  ￥0.48
- 詢價(jià)
- 增強(qiáng)型mos管 mog管場(chǎng)效應(yīng)1N60 高壓場(chǎng)效應(yīng)管
  
  品牌:PUOLOP | 型號(hào):PTU/D1N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：增強(qiáng)型mos管高壓場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.62
- 詢價(jià)
- 華晶1N60另售各類高低壓MOS管場(chǎng)效應(yīng)管送樣
  
  品牌:華晶，SKY，WILL | 型號(hào):1N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：華晶mos管華晶場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.37
- 詢價(jià)