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品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2968 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2917 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2601 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1745 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TPC8111 TPC8302 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HI-REL/高可靠性 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TPC8301 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HI-REL/高可靠性 | 材料:P-FET硅P溝道 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 最大耗散功率:1

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K2845，進口三極管全系列，2Sk2845，現貨 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 關斷速度:A | 最大穩定工作電流:. | 極數:其他

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TPC8074 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:通信IC | 批號:12+ | 封裝:SOP

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1603 K1603 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K3569，2sK3569 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 最大漏極電流:* | 跨導:* | 開啟電壓:* | 夾斷電壓:** | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SJ610 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:20W | 最大漏極電流ID:-2A | 最大源漏電壓VDSS:-250V

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TMP89FM42UG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 功率:原廠 | 針腳數:44 | 封裝:44

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3569 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K6A65D | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK6A65D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:穩壓IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K2718 2SK2718 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:CHOP/斬波、限幅 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 集電極最大耗散功率PCM:40 | 集電極最大允許電流ICM:2.5 | 封裝形式:直插型

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2843 | 用途:A/寬頻帶放大 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開啟電壓:1 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:1 | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2sk2648 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MIN/微型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:11 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2382 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:20000 | 跨導:10 | 開啟電壓:150 | 夾斷電壓:20 | 低頻噪聲系數:10 | 極間電容:10 | 最大耗散功率:100

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K2866，2SK2866 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 最大漏極電流:* | 跨導:* | 開啟電壓:* | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*