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品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K3868，2SK3868 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 跨導:* | 最大漏極電流:* | 開啟電壓:* | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數(shù):* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:3SK259 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:TUN/調(diào)諧 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大漏極電流ID:0.03A | 最大源漏電壓VDSS:13.5V

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6N17FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:0.1A | 最大源漏電壓VDSS:50V

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM5N15FE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:0.1A | 最大源漏電壓VDSS:30V

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK12A60U | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:GEP/互補類型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 批號:13+ | 是否提供加工定制:否 | 封裝:TO-220

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K4108 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:WAFER/裸芯片 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K13A65U | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK13A60D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:標準 | 低頻噪聲系數(shù):標準 | 極間電容:標準

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K15A60D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TPC8062-H | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:18000 | 開啟電壓:20 | 夾斷電壓:30 | 最大耗散功率:1900

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK4112 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K3067，2SK3067 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 跨導:/ | 最大漏極電流:/ | 開啟電壓:/ | 夾斷電壓:/ | 低頻噪聲系數(shù):/ | 極間電容:/ | 最大耗散功率:/

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K2385，2SK2385 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:// | 最大漏極電流:/ | 開啟電壓:/ | 夾斷電壓:/ | 低頻噪聲系數(shù):/ | 極間電容:/ | 最大耗散功率:/

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:TPCA8012-H | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:TR/激勵、驅(qū)動 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SJ347 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1826 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:0.05A | 最大源漏電壓VDSS:50V

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:HN1K03FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3767/K3767 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:通信IC | 批號:12+ | 封裝:TO-220F

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K2401，2SK2401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:* | 最大漏極電流:* | 開啟電壓:200 | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數(shù):* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*