品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3878 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
10-99 個
¥4.00
100-499 個
¥3.70
≥500 個
¥3.60
品牌:Toshiba/東芝 | 型號:TK15A50D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 功率:原廠規(guī)格 | 封裝:TO-220F
10-99 個
¥2.50
100-499 個
¥2.30
≥500 個
¥2.20
類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA | 型號:TK16A60W | 功率:200 | 用途:MOS | 封裝:TO-220F | 批號:最新
≥1000 PCS
¥5.48
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2607/K2607/K2611/2SK2611 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥2000 個
¥0.90
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK4107 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個
¥5.00
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3878 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥5.50
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K3878/2SK3878 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:/ | 低頻噪聲系數(shù):/ | 極間電容://
≥1000 個
¥2.65
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TPCF8B01 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥4000 個
¥0.85
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TPC6104 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥3000 個
¥0.68
產(chǎn)品類型:整流管 | 是否進口:是 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:IN4001 (M1) | 材料:硅(SI) | 封裝:SMA | 工作溫度范圍:85(℃) | 功耗:0.5W | 針腳數(shù):2 | 批號:2013
≥1000 PCS
¥0.03
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TPCT4202 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1.7W | 最大源極電流IS:6A | 最大源源電壓VSSS:30V
≥4000 個
¥0.90
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:3SK160 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:TV/電視 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:30mA | 最大源漏電壓VDSS:13V
≥3000 個
¥0.70
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:3SK151-GR | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:TV/電視 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大源漏電壓VDSS:15V | 漏極電流IDSS:6~14mA
≥3000 個
¥0.70
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:3SK146 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UHF/超高頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:30mA | 最大源漏電壓VDSS:13.5v | 應(yīng)用范圍:放大
≥3000 個
¥0.70
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK882 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:TUN/調(diào)諧 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 漏極電流IDSS:3~14mA | 最大源漏電壓VDS:20V
≥3000 個
¥0.80
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK4059TV-B | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大柵漏電壓VGDS:-20V | 漏極電流IDSS:210~350uA
≥5000 個
¥0.45
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3857TK-B | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大柵漏電壓VGDS:-20V | 漏極電流IDSS:210~350uA | 應(yīng)用范圍:放大
≥5000 個
¥0.58
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK368-Y | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大柵漏電壓VGDS:-100V | 漏極電流IDSS:1.2~3mA
≥3000 個
¥0.70
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3K15FS SSM3K15FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 備注:DO-207 | 產(chǎn)品類型:MOS管 | 是否進口:是
≥10 千克
¥0.20