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- TOSHIBA東芝MOS場效應(yīng)管 2SK3562 K3562
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3562 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1 個(gè)
  
  ￥2.00
- 詢價(jià)
- MOS場效應(yīng)管 2SK3561+MOS場效應(yīng)管 K3561+MOS場效應(yīng)管
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3561 K3561 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 跨導(dǎo):22 | 開啟電壓:22 | 夾斷電壓:22
- ≥1 個(gè)
  
  ￥1.40
- 詢價(jià)
- 場效應(yīng)管k2995
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:k2995 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:A | 截止頻率fT:MHZ
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.85
- 詢價(jià)
- 三極管MOS管穩(wěn)壓IC2SC2884、SOT-89、耐壓高
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SC2884大芯片耐壓高 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:硅(SI)
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.17
- 詢價(jià)
- 2SK2837 K2837 場效應(yīng)管TO-3P 進(jìn)口
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2837 K2837 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CHOP/斬波、限幅 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:20 | 低頻噪聲系數(shù):2 | 極間電容:3720
- ≥1 個(gè)
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- TOS 2SK3301 場效應(yīng) TO-252
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3301 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1 個(gè)
  
  ￥1.20
- 詢價(jià)
- 3PL大管，GT50M101上機(jī)
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT50M101 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1000 | 低頻噪聲系數(shù):10 | 極間電容:10
- ≥5 個(gè)
  
  ￥2.00
- 詢價(jià)
- 2SK3934 Toshiba/東芝場效應(yīng)管 500V 15A
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3934 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥10 個(gè)
  
  ￥3.50
- 詢價(jià)
- TOS場效應(yīng)管 2SK170 K170 2SJ74 J74 TO92 原產(chǎn)并非國產(chǎn)
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK170 2SK170-BL K170 2SJ74 J74 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 封裝形式:直插型 | 封裝:TO-92 | 應(yīng)用范圍:放大
- ≥10 個(gè)
  
  ￥2.35
- 詢價(jià)
- 場效應(yīng)管系列 2SK2699場效應(yīng)管系列 K2699場效應(yīng)管系列
  
  品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK2699 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導(dǎo):33 | 最大漏極電流:33 | 開啟電壓:33
- ≥1 個(gè)
  
  ￥1.00
- 詢價(jià)
- 場效應(yīng)管K2746
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K2746 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1
- ≥200 個(gè)
  
  ￥0.01
- 詢價(jià)
- TOSHIBA東芝場效應(yīng)管 TK13A65U K13A65U
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK13A65U K13A65U | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
- ≥1 個(gè)
  
  ￥1.00
- 詢價(jià)
- 3SK126-Y/電視應(yīng)用/雙柵極 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-143
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:3SK126-Y | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:TV/電視 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:30mA | 最大源漏電壓VDSS:15V | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.55
- 詢價(jià)
- 3SK126-O/電視應(yīng)用/雙柵極 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-143
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:3SK126-O | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:TV/電視 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:30mA | 最大源漏電壓VDSS:15V | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.55
- 詢價(jià)
- SSM6L05FU/復(fù)合場效應(yīng)管MOS N溝道+P溝道 20V 0.4A SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6L05FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | Nch MOSFET參數(shù):Vds=20V，Id=0.4A | 最大耗散功率PD:0.3W | Pch MOSFET參數(shù):Vds=-20V，Id=-0.2A
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管東芝場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.58
- 詢價(jià)
- SSM3K7002F/高速開關(guān) 模擬開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOS/SOT-23
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3K7002F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.2A | 最大源漏電壓VDSS:60V | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- SSM3K302T/功率開關(guān) 高速開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOS/SOT-23
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3K302T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.7W | 最大漏極電流ID:3A | 最大源漏電壓VDSS:30V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- SSM3K7002FU/高速開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOS/SOT-323
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3K7002FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:0.2A | 最大源漏電壓VDSS:60V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- SSM3K104TU/N溝道場效應(yīng)管MOS 20V 3A SOT-323 1.8V驅(qū)動(dòng)/TOSHIBA
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3K104TU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.50
- 詢價(jià)
- SSM3K03TE/高速開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOS/SOT-523/TOSHIBA
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM3K03TE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大漏極電流ID:0.1A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)

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