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品牌:AO | 型號:AOT472 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:140000

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:NDC631N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1.6W | 最大漏極電流ID:4.1A | 最大源漏電壓VDSS:20V

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF5N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:.

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF7404PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:40 | 低頻噪聲系數:50 | 極間電容:1000

品牌:DE | 型號:2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFR220NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET)，絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道，N溝道 | 導電方式:增強型，增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插，P-DIT/塑料雙列直插

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FCPF11N60 c | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF8N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF7N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF5N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF6N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFD110PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF5N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:40Q321 | 用途:L/功率放大 | 最大漏極電流:21 | 跨導:12 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開啟電壓:12 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:12 | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:12 | 極間電容:12 | 最大耗散功率:221

應用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJD112/J112 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:10 | 跨導:11 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開啟電壓:110 | 用途:CC/恒流 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:100 | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:50 | 極間電容:10 | 最大耗散功率:60

品牌:MPS | 型號:MP1542DK-LF-Z | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體

品牌:ST/意法 | 型號:8N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:龍晶微 | 型號:8N60C TO-220F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道