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類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:7N60 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝:TO-220F | 最大漏極電流:7 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 低頻噪聲系數:7

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFB4115PBF | 封裝:TO-220 | 批號:11+

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2865 | 封裝:TO-251 | 批號:12+

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF9530NPBF | 功率:0 | 用途:MIX/混頻 | 封裝:TO-220

品牌:PHILIPS/飛利浦 | 型號:PMV45EN | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:2W | 最大漏極電流ID:5.4A | 最大源漏電壓VDSS:30V | 產品類型:其他

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSS192P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:-0.19A | 最大源漏電壓VDSS:-250V | 產品類型:其他

品牌:ROHM/羅姆 | 型號:RHP020N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:0.5W | 最大漏極電流ID:2A | 最大源漏電壓VDSS:60V | 應用范圍:放大

品牌:PHILIPS/飛利浦 | 型號:PHT6N03T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:12.8A | 最大源漏電壓VDSS:30V | 產品類型:其他

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:3LN01M-TL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:0.15A | 最大源漏電壓VDSS:30V

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2SK3486 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:1.5W | 最大漏極電流ID:8A | 最大源漏電壓VDSS:20V

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SK2054 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:3A | 最大源漏電壓VDSS:60V | 應用范圍:其他

品牌:RENESAS/瑞薩 | 型號:2SJ576APTL-E | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:-0.1A | 最大源漏電壓VDSS:-30V

品牌:其他 | 型號:SI2302DS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:IR | 型號:IRFR024NTRPBF | 封裝:TO-252 | 批號:13+

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SK2053 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:5A | 最大源漏電壓VDSS:16V | 應用范圍:其他

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2SJ637-TL-E | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-5A | 最大源漏電壓VDSS:-100V | 產品類型:其他

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SJ357-T1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-3A | 最大源漏電壓VDSS:-30V | 應用范圍:其他

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SJ202 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-0.1A | 最大源漏電壓VDSS:-16V | 應用范圍:其他

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SJ166 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-0.1A | 最大源漏電壓VDSS:-50V | 應用范圍:其他

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SJ621 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-3.5A | 最大源漏電壓VDSS:-12V | 應用范圍:其他