品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO9926B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道
≥3000 PCS
￥0.10
品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號:AO7401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大耗散功率PD:0.35W | 最大漏極電流ID:-1.2A | 最大源漏電壓VDSS最大:-30V
≥3000 個
￥0.60
類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF5210S | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 最大漏極電流:5-00- | 跨導:24 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 開啟電壓:100 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 溝道類型:P溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:100 | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:24 | 極間電容:500 | 最大耗散功率:700
≥100 個
￥1.80
品牌:浩輝半導體 | 型號:AO3401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:-4A | 低頻噪聲系數:/ | 極間電容://
≥9 K
￥180.00