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- AO3401AL AO P溝道增強(qiáng)模式MOSFET 4A 30V SOT23 場效應(yīng)管
  
  品牌:AO | 型號:AO3401AL | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 整盤數(shù)量:3000PCS
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： sot23場效應(yīng) ao場效應(yīng)管 sot23場效應(yīng)管
- 300-999 個
  
  ￥0.50
- 1000-2999 個
  
  ￥0.30
- ≥3000 個
  
  ￥0.18
- 詢價
- 場效應(yīng)管 MOS管 7N60 TO-220
  
  類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:7N60 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝:TO-220F | 最大漏極電流:7 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 低頻噪聲系數(shù):7
- 1000-4999 個
  
  ￥0.95
- ≥5000 個
  
  ￥0.90
- 詢價
- 場效應(yīng)管/MOS管 AOS萬代 AO9926B SO-8 AOS 環(huán)保
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO9926B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道
- ≥3000 PCS
  
  ￥0.10
- 詢價
- XP4878/復(fù)合場效應(yīng)管MOSFET 雙N溝道 50V 100mA SOT-363/松下
  
  品牌:Panasonic/松下 | 型號:XP0487800LS0(XP4878) | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SYM/對稱類 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管 n溝道場效應(yīng)管復(fù)合場效應(yīng)管
- ≥3000 千克
  
  ￥0.40
- 詢價
- SI2333DS-T1-E3/開關(guān)/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-23/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2333DS-T1-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.75W | 最大漏極電流ID:-4.1A | 最大源漏電壓VDSS:-12V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： s1場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.70
- 詢價
- SI3433DV/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-163/VISHAY威世
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3433DV | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1.1W | 最大漏極電流ID:-4.3A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：威世m(xù)os管 p場效應(yīng)管 vishay場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.60
- 詢價
- SI2301ADS/開關(guān)/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-23/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2301ADS | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.7W | 最大漏極電流ID:-1.75A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： s1場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.55
- 詢價
- SI1023X/復(fù)合雙P溝道場效應(yīng)管MOSFET 20V 390mA SOT-563/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI1023X | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管 vishay場效應(yīng)管復(fù)合場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.55
- 詢價
- 場效應(yīng)管，MOS管，2SK2865
  
  類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2865 | 封裝:TO-251 | 批號:12+
- ≥5 PCS
  
  ￥1.20
- 詢價
- AOS美國萬代 AOD4132 MOS管場效應(yīng)管 MOSFET
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOD4132 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： aos代理 aos場效應(yīng)管美國mos管
- 10-99 個
  
  ￥1.50
- 100-2499 個
  
  ￥1.40
- ≥2500 個
  
  ￥1.35
- 詢價
- AOS美國萬代 AO8830 MOS管場效應(yīng)管 MOSFET
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO8830 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:AM/調(diào)幅 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： ao場效應(yīng)管 aos場效應(yīng)管美國mos管
- 100-999 個
  
  ￥0.45
- 1000-2999 個
  
  ￥0.42
- ≥3000 個
  
  ￥0.40
- 詢價
- V30324-T1-E3/雙N溝道場效應(yīng)管MOSFET 20V 0.7A/SOT-363/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:V30324-T1-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管 n溝道場效應(yīng)管 vishay場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.48
- 詢價
- UPA611TA/雙N溝道場效應(yīng)管MOSFET 30V 0.1A SOT-163/高速開關(guān)/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號:UPA611TA | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.40
- 詢價
- UM6K1/30V 0.1A/雙N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-363/ROHM
  
  品牌:ROHM/羅姆 | 型號:UM6K1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管 n溝道場效應(yīng)管 rohm場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.28
- 詢價
- SI3442DV-T1/N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-163/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3442DV-T1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:2W | 最大漏極電流ID:4A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： s1場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管 vishay場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.80
- 詢價
- SI3424DV-T1-E3/開關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-163
  
  品牌:SILICON | 型號:SI3424DV-T1-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:8A | 最大源漏電壓VDSS:30V | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： s1場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.75
- 詢價
- SSM6N15FU/復(fù)合雙N溝道場效應(yīng)管MOSFET/30V 0.1A/SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6N15FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 n溝道場效應(yīng)管東芝場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.55
- 詢價
- SSM6N16FE/復(fù)合場效應(yīng)管MOSFET 雙N溝道 20V 0.1A SOT-563/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6N16FE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 n溝道場效應(yīng)管東芝場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.48
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- HN7G02FU/復(fù)合管 N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET+PNP/SOT-363/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:HN7G02FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.05A | 最大源漏電壓VDSS:20V | 應(yīng)用范圍:放大
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：東芝mos管 n溝道場效應(yīng)管東芝場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.55
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- AOT472 N溝道 MOSFET場效應(yīng)管 75V 140A TO-220直插封裝 AO
  
  品牌:AO | 型號:AOT472 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:140000
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 75n75場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管 ao場效應(yīng)管
- 詢價

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