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品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2SJ316 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1.5W | 最大漏極電流ID:-1A | 最大源漏電壓VDSS:-12V

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SJ347 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:MCH3333 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.9W | 最大漏極電流ID:-1.5A | 最大源漏電壓VDSS:-30V

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:MCH3401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1W | 最大漏極電流ID:1.4A | 最大源漏電壓VDSS:30V

品牌:富鼎 | 型號:AP2302N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:IR | 型號:IRFR024NTRPBF | 封裝:TO-252 | 批號:13+

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AON7406 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:8-SMD，扁平引線裸焊盤 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:5LP01C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-0.07A | 最大源漏電壓VDSS:-50V | 應用范圍:放大

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:5LP02M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:-0.14A | 最大源漏電壓VDSS:-50V

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:5HP02M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:-0.14A | 最大源漏電壓VDSS:-50V

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:5HP01M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-0.07A | 最大源漏電壓VDSS:-50V | 應用范圍:放大

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:5HP02C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.25W | 最大漏極電流ID:-0.14A | 最大源漏電壓VDSS:-50V

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:5HP01C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.25W | 最大漏極電流ID:-0.07A | 最大源漏電壓VDSS:-50V

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SK2053 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:5A | 最大源漏電壓VDSS:16V | 應用范圍:其他

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:2SJ637-TL-E | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-5A | 最大源漏電壓VDSS:-100V | 產品類型:其他

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SJ624 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SJ357-T1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-3A | 最大源漏電壓VDSS:-30V | 應用范圍:其他

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SJ344 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SJ346 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SJ202 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-0.1A | 最大源漏電壓VDSS:-16V | 應用范圍:其他