品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFR3704 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:90W | 最大漏極電流ID:75A | 最大源漏電壓VDSS:20V
≥3000 個
¥1.40
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
100-999 個
¥0.55
1000-2999 個
¥0.50
≥3000 個
¥0.49
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
100-499 個
¥0.25
≥500 個
¥0.20
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3400A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
100-999 個
¥0.20
1000-2999 個
¥0.19
≥3000 個
¥0.18
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3400A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
100-999 個
¥0.20
1000-2999 個
¥0.19
≥3000 個
¥0.18
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4801A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:2 個 P 溝道(雙) | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
100-999 個
¥0.80
1000-2999 個
¥0.75
≥3000 個
¥0.70
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4474 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
100-999 個
¥0.80
1000-2999 個
¥0.78
≥3000 個
¥0.75
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSP296 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1.79W | 最大漏極電流ID:1.1A | 最大源漏電壓VDSS:100V
≥1000 個
¥1.80
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSP318S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1.8W | 最大漏極電流ID:2.6A | 最大源漏電壓VDSS:60V
≥1000 個
¥1.50
類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF5210S | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 最大漏極電流:5-00- | 跨導:24 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 開啟電壓:100 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 溝道類型:P溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:100 | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:24 | 極間電容:500 | 最大耗散功率:700
≥100 個
¥1.80
品牌:MPS | 型號:MP1542DK-LF-Z | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體
≥1000 個
¥0.01