品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSS83P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.36W | 最大漏極電流ID:-0.33A | 最大源漏電壓VDSS:-60V
≥3000 個
¥0.38
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSS192P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:-0.19A | 最大源漏電壓VDSS:-250V | 產品類型:其他
≥3000 個
¥0.68
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSS159 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個
¥0.38
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSS138W | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個
¥0.23
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSP296 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1.79W | 最大漏極電流ID:1.1A | 最大源漏電壓VDSS:100V
≥1000 個
¥1.80
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSP318S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1.8W | 最大漏極電流ID:2.6A | 最大源漏電壓VDSS:60V
≥1000 個
¥1.50
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSV236SP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個
¥0.70
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H30R120 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si) | 最大漏極電流:10 | 低頻噪聲系數:10 | 極間電容:10
≥5 個
¥3.80
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:21N50C3 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥100 個
¥7.15
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:2N7002DW | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個
¥0.15
類型:其他IC | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:SGB04N60 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝:TO-263 | 批號:2013 | 最大漏極電流:1 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 低頻噪聲系數:1
≥1 個
¥1.00
類型:其他IC | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BF2040W | 封裝:SOT343 | 批號:11+/12+
≥3000 PCS
¥0.25
類型:其他IC | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:SPA06N80C3 | 封裝:TO-220F | 批號:11+ | 是否提供加工定制:否
≥5 PCS
¥3.00
類型:其他IC | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:ICE3B0565J | 封裝:DIP-8 | 批號:11+ | 是否提供加工定制:否
≥5 PCS
¥0.50