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品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSS83P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.36W | 最大漏極電流ID:-0.33A | 最大源漏電壓VDSS:-60V

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSS192P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:-0.19A | 最大源漏電壓VDSS:-250V | 產品類型:其他

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSS159 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSS138W | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSP296 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1.79W | 最大漏極電流ID:1.1A | 最大源漏電壓VDSS:100V

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSP318S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1.8W | 最大漏極電流ID:2.6A | 最大源漏電壓VDSS:60V

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSV236SP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H30R120 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si) | 最大漏極電流:10 | 低頻噪聲系數:10 | 極間電容:10

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:21N50C3 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:2N7002DW | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:SGB04N60 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝:TO-263 | 批號:2013 | 最大漏極電流:1 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 低頻噪聲系數:1

類型:其他IC | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BF2040W | 封裝:SOT343 | 批號:11+/12+

類型:其他IC | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:SPA06N80C3 | 封裝:TO-220F | 批號:11+ | 是否提供加工定制:否

類型:其他IC | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:ICE3B0565J | 封裝:DIP-8 | 批號:11+ | 是否提供加工定制:否