品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO9926B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道
≥3000 PCS
¥0.10
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6J08FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:-1.3A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
≥3000 個
¥0.48
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM6J07FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.3W | 最大漏極電流ID:-0.8A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
≥3000 個
¥0.50
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1827 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大漏極電流ID:0.05A | 最大源漏電壓VDSS:50V
≥3000 個
¥0.25
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDG326P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大源漏電壓Vds:-20V | 最大耗散功率Pd:0.75W | 最大漏極電流Id:-1.5A
≥3000 個
¥0.60
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDN335N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.5W | 最大漏極電流ID:1.7A | 最大源漏電壓VDSS:20V
≥3000 個
¥0.40
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDC642P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 最大漏極電流Id:-4A | 最大源漏電壓Vds:-20V | 最低耗散功率Pd:1.6W
≥3000 個
¥0.70
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDC634P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流Id:-3.5A | 最大源漏電壓Vds:-20V | 最低耗散功率Pd:1.6W
≥3000 個
¥0.55
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDN361AN | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.5W | 最大漏極電流ID:1.8A | 最大源漏電壓VDSS:30V
≥3000 個
¥0.50
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SJ344 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥3000 個
¥0.28
品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SJ202 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-0.1A | 最大源漏電壓VDSS:-16V | 應用范圍:其他
≥3000 個
¥0.30
品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SJ557 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥3000 個
¥0.48
品牌:其他 | 型號:AO3400 SOT-23-3L | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 兼容產品:CJ3400
≥3 K
¥160.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFR220NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET),絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道,N溝道 | 導電方式:增強型,增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插,P-DIT/塑料雙列直插
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:21N50C3 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥100 個
¥7.15
品牌:CHINA | 型號:3D02E | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:0.05~1.2 | 備注:全新原裝
≥10 個
¥16.50
類型:其他IC | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:SGB04N60 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝:TO-263 | 批號:2013 | 最大漏極電流:1 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 低頻噪聲系數:1
≥1 個
¥1.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF3205 IRF1405PBF IRF1407PBF IRF2804PBF IRF2807PB | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:110
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF8N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥100 個
¥2.00
類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1407PBF | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型
≥50 個
¥3.35