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類(lèi)型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):7N60 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝:TO-220F | 最大漏極電流:7 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 低頻噪聲系數(shù):7

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):NDC631N | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1.6W | 最大漏極電流ID:4.1A | 最大源漏電壓VDSS:20V

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQPF5N60C | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:.

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDN336P | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDN359AN | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.5W | 最大漏極電流ID:2.7A | 最大源漏電壓VDSS:30V

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDG326P | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大源漏電壓Vds:-20V | 最大耗散功率Pd:0.75W | 最大漏極電流Id:-1.5A

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDN335N | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.5W | 最大漏極電流ID:1.7A | 最大源漏電壓VDSS:20V

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDG313N | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDC642P | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 最大漏極電流Id:-4A | 最大源漏電壓Vds:-20V | 最低耗散功率Pd:1.6W

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDC653N | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDC638P | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率Pd:1.6W | 最大漏極電流Id:-2.8A | 最大源漏電壓Vds:-20V

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDC634P | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流Id:-3.5A | 最大源漏電壓Vds:-20V | 最低耗散功率Pd:1.6W

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDN361AN | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.5W | 最大漏極電流ID:1.8A | 最大源漏電壓VDSS:30V

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQPF8N60C | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDJ129 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率Pd:1.6W | 最大漏極電流Id:-4.2A | 最大源漏電壓Vds:-20V

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQPF10N60 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDD5N50U 仙童MOS管 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDD14AN06LA0 仙童MOS管 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDD13AN06A0 FDD6670A | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:詳情咨詢(xún)客服 | 低頻噪聲系數(shù):詳情咨詢(xún)客服 | 極間電容:詳情咨詢(xún)客服

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDD1117-2.5 FDD120AN15A0 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:詳情咨詢(xún)客服 | 低頻噪聲系數(shù):詳情咨詢(xún)客服 | 極間電容:詳情咨詢(xún)客服