品牌:ROHM/羅姆 | 型號:UM6K1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個
¥0.28
品牌:ROHM/羅姆 | 型號:RHP020N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:0.5W | 最大漏極電流ID:2A | 最大源漏電壓VDSS:60V | 應用范圍:放大
≥1000 個
¥1.30
品牌:ROHM/羅姆 | 型號:RHK003N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.3A | 最大源漏電壓VDSS:60V | 應用范圍:放大
≥3000 個
¥0.50
品牌:ROHM/羅姆 | 型號:RK7002 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.225W | 最大漏極電流ID:0.115A | 最大源漏電壓VDSS:60V
≥3000 個
¥0.12
品牌:ROHM/羅姆 | 型號:2SK2463 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.5W | 最大漏極電流ID:2A | 最大源漏電壓VDSS:60V
≥1000 個
¥0.58
品牌:ROHM/羅姆 | 型號:EM6K1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥8000 個
¥0.35
品牌:ROHM/羅姆 | 型號:RTR025P02 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1 | 最大漏極電流ID:-2.5A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
≥3000 個
¥0.50
品牌:ROHM/羅姆 | 型號:RTQ025P02 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-2.5A | 最大源漏電壓VDSS:-20V | 應用范圍:放大
≥3000 個
¥0.58
品牌:ROHM/羅姆 | 型號:RSR015P03 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1W | 最大漏極電流ID:-1.5A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
≥3000 個
¥0.50
品牌:ROHM/羅姆 | 型號:QS5U27 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1W | SBD參數:Vr=-20V,Io=1A | 應用范圍:放大
≥3000 個
¥0.60
類型:其他IC | 品牌:ROHM/羅姆 | 型號:2SK3065 | 封裝:SOT-89 | 批號:2011+2012+原裝現貨
≥1 PCS
¥0.30
類型:其他IC | 品牌:ROHM/羅姆 | 型號:2SK2504 | 封裝:TO-252 | 批號:2010+2011+原裝現貨熱賣
≥1 PCS
¥0.50