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- SI2333DS-T1-E3/開關(guān)/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-23/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2333DS-T1-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.75W | 最大漏極電流ID:-4.1A | 最大源漏電壓VDSS:-12V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： s1場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
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- SI3433DV/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-163/VISHAY威世
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3433DV | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1.1W | 最大漏極電流ID:-4.3A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：威世m(xù)os管 p場效應(yīng)管 vishay場效應(yīng)管
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- SI2301ADS/開關(guān)/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-23/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2301ADS | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.7W | 最大漏極電流ID:-1.75A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： s1場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
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- SI1023X/復(fù)合雙P溝道場效應(yīng)管MOSFET 20V 390mA SOT-563/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI1023X | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管 vishay場效應(yīng)管復(fù)合場效應(yīng)管
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- V30324-T1-E3/雙N溝道場效應(yīng)管MOSFET 20V 0.7A/SOT-363/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:V30324-T1-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管 n溝道場效應(yīng)管 vishay場效應(yīng)管
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- SI3442DV-T1/N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-163/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3442DV-T1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:2W | 最大漏極電流ID:4A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： s1場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管 vishay場效應(yīng)管
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- SI2302DS/N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-23/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2302DS | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1.25W | 最大漏極電流ID:2.8A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管 vishay場效應(yīng)管
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- SI2303DS/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET 30V 1.7A SOT-23/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2303DS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管 vishay場效應(yīng)管
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- 進(jìn)口Vishay威世通MOSFET場效應(yīng)管IRFP460,500V，20A
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:TO-247-3 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： irfp460場效應(yīng)管 vishay場效應(yīng)管
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- SI8902EDB/雙向N溝道場效應(yīng)管MOSFET 20V 5A 2X3 6-MFP/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI8902EDB | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 5a場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管 vishay場效應(yīng)管
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- SI5435DC/30V 5.6A/開關(guān)/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/1206-8/威世
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI5435DC | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:2.5W | 最大漏極電流ID:-5.6A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 5a場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
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  ￥1.20
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- SI3495DV/20V 5.3A/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-163/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3495DV | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1.1W | 最大漏極電流ID:-5.3A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 5a場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管 vishay場效應(yīng)管
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- SI3447DV/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET -12V -5.2A SOT-163/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3447DV | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 5a場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管 vishay場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
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- SI3445DV/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET -8V -5.6A SOT-163/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3445DV | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 5a場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管 vishay場效應(yīng)管
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- SI2306DS-T1/30V N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-23/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2306DS-T1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1.25W | 最大漏極電流ID:3.5A | 最大源漏電壓VDSS:30V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： n溝道m(xù)os管 n溝道場效應(yīng)管 vishay場效應(yīng)管
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- MOS管 MOS SI2301
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2301 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝
- ≥1 K
  
  ￥105.00
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- N通道場效應(yīng)管SIHG22N60S-E3
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SIHG22N60S-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1 個
  
  ￥1.00
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- 三極管MOS管/SI2301DS/SOT23-3大芯片
  
  品牌:原裝VISHAY | 型號:SI2301DS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:硅(SI)
- ≥100 個
  
  ￥0.09
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- SI7212DN場效應(yīng)管/MOSFET/VISHAY系列
  
  類型:其他IC | 品牌:Vishay/威世通 | 型號:si7212dn | 用途:D/變頻換流 | 溝道類型:N溝道 | 種類:其他 | 導(dǎo)電方式:耗盡型
- ≥10 個
  
  ￥2.00
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- VISHAY - IRF840PBF - 場效應(yīng)管 MOSFET N TO-220 每管50
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF840PBF | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號:10+ | 封裝:TO-220
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