品牌:進口品牌 | 型號:IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道，N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 營銷方式:拆機 | 最低起批量:1PC
≥1 個
￥1.80
品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRFP31N50LPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個
￥0.10
品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK4108 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
￥5.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1-99 個
￥4.90
≥100 個
￥4.85
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
￥4.65
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
￥1.10
類型:編碼器、解碼器 | 品牌:ST/IR/ FSC/TI/NXP | 型號:IRFP460PBF | 功率:0-99 | 封裝:TO/SOT/ | 批號:13+14+
≥10 個
￥0.89
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個
￥6.20
應用范圍:功率 | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460LC | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-247
≥25 PCS
￥8.00
類型:其他IC | 品牌:原裝 | 型號:IRFP460 | 功率:. | 封裝:. | 批號:.
≥100 PCS
￥0.01
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1 | 低頻跨導:1
≥1000 個
￥9.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460APBF | 溝道類型:其他 | 封裝形式:TO-3P | 發貨期限:3 | 應用范圍:放大
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460LCPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:0 | 低頻噪聲系數:0 | 極間電容:0
≥25 個
￥8.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 擊穿電壓VCBO:0 | 集電極最大允許電流ICM:0 | 截止頻率fT:0
≥100 個
￥6.50