品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):IRFP31N50LPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個(gè)
￥0.10
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP460LCPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:0 | 低頻噪聲系數(shù):0 | 極間電容:0
≥25 個(gè)
￥8.00
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):IRFP460PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 工作環(huán)境溫度范圍:-55~+150℃
10-99 個(gè)
￥6.00
≥100 個(gè)
￥5.30
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):IRFP460LCPBF IRFP460LC | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:HI-IMP/高輸入阻抗 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個(gè)
￥8.50
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):IRFP460PBF IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP460LCPBF★★信譽(yù)，無(wú)可替代的財(cái)富!供應(yīng)IC三極管全新原裝正品★★ | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 夾斷電壓:500V
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP460APBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MIN/微型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:1 | 開(kāi)啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1 | 低頻跨導(dǎo):1
≥100 個(gè)
￥8.30
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):G20N50C | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | --:--
≥1000 個(gè)
￥4.40
品牌:VISHAY | 型號(hào):IRFP460PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 封裝:TO-247
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):IRFP460PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
1-9 個(gè)
￥5.50
≥10 個(gè)
￥5.00
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):SIHG20N50C-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:FM/調(diào)頻 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥50 個(gè)
￥4.00
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP460LCPBF | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個(gè)
￥17.00
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):IRFP460PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 批號(hào):12+ | 封裝:TO-247AC
≥1 個(gè)
￥1.00
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP460 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:LMP-C/阻抗變換 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥50 個(gè)
￥6.80
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP460 IRFP460A IRFP460LC | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:HG/高跨導(dǎo) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個(gè)
￥1.90
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP460LC | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個(gè)
￥2.50
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP450 IRFP460 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:HG/高跨導(dǎo) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | .:.
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):IRFP460APBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP460LCPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 跨導(dǎo):22 | 開(kāi)啟電壓:22 | 夾斷電壓:22
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):IRFP460PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥50 個(gè)
￥6.00