品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):IRFP31N50LPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個(gè)
￥0.10
品牌:Toshiba/東芝 | 型號(hào):2SK4108 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
￥5.50
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1-99 個(gè)
￥4.90
≥100 個(gè)
￥4.85
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
￥4.65
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個(gè)
￥1.10
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP460A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個(gè)
￥6.20
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP460PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP460A | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
≥50 個(gè)
￥5.50
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP460LCPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:0 | 低頻噪聲系數(shù):0 | 極間電容:0
≥25 個(gè)
￥8.00
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP460A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 擊穿電壓VCBO:0 | 集電極最大允許電流ICM:0 | 截止頻率fT:0
≥100 個(gè)
￥6.50
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
20-99 個(gè)
￥3.30
≥100 個(gè)
￥3.00
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP460APBF | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 批號(hào):12+ | 針腳數(shù):3 | 封裝:247
≥1 個(gè)
￥1.00
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP460PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:TR/激勵(lì)、驅(qū)動(dòng) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 跨導(dǎo):2 | 最大漏極電流:2 | 開啟電壓:120 | 夾斷電壓:600 | 低頻噪聲系數(shù):2 | 極間電容:2 | 最大耗散功率:2
≥100 個(gè)
￥4.00
品牌:IR，三星等各進(jìn)口廠家 | 型號(hào):全新及拆機(jī)大功率高耐壓場(chǎng)效應(yīng)管IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
≥100 個(gè)
￥1.50
品牌:IR/VISHAY | 型號(hào):IRFP460 TO-247 原裝進(jìn)口 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
≥30 個(gè)
￥5.10
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):IRFP460PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 工作環(huán)境溫度范圍:-55~+150℃
10-99 個(gè)
￥6.00
≥100 個(gè)
￥5.30
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP460PBF，IRFP460A | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 夾斷電壓:500
≥100 個(gè)
￥6.00
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP460PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥9000 個(gè)
￥0.01
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
100-999 個(gè)
￥1.20
≥1000 個(gè)
￥1.10