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品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDD14AN06LA0 仙童MOS管 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDD13AN06A0 FDD6670A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:詳情咨詢客服 | 低頻噪聲系數(shù):詳情咨詢客服 | 極間電容:詳情咨詢客服

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDD1117-2.5 FDD120AN15A0 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:詳情咨詢客服 | 低頻噪聲系數(shù):詳情咨詢客服 | 極間電容:詳情咨詢客服

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDB7030L 仙童MOS管 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDB6N60 仙童MOS管 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Sanyo/三洋 | 型號:3LP01M | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-0.1A | 最大源漏電壓VDSS:-30V | 應用范圍:放大

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOD454 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:DIODES/美臺 | 型號:BS870-7 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.31W | 最大漏極電流ID:0.25A | 最大源漏電壓VDSS:60V

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FCPF11N60 c | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF8N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF7N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:HX | 型號:HX4N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 跨導:70 | 最大漏極電流:11200 | 開啟電壓:4 | 夾斷電壓:2 | 低頻噪聲系數(shù):30 | 極間電容:50 | 最大耗散功率:49000

品牌:HX | 型號:HX4N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 跨導:70 | 最大漏極電流:11200 | 開啟電壓:4 | 夾斷電壓:2 | 低頻噪聲系數(shù):30 | 極間電容:50 | 最大耗散功率:49000

品牌:HX | 型號:HX2N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 跨導:70 | 最大漏極電流:1900 | 開啟電壓:4 | 夾斷電壓:2 | 低頻噪聲系數(shù):30 | 極間電容:30 | 最大耗散功率:44000

品牌:ST/意法 | 型號:STF5NK100Z | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:TO-220-3 整包 | 材料:P-FET硅P溝道

類型:其他IC | 品牌:CCMIC(中芯微) | 型號:CM4953 | 用途:音頻 | 封裝:SOP-8 | 批號:110909

類型:其他IC | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SK3435 | 封裝:TO-220 | 批號:06+

品牌:CHINA | 型號:3D02E | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:0.05~1.2 | 備注:全新原裝

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRLML2803 | 封裝:SOT-23 | 封裝形式:SOT-23 | 材料:硅(Si) | 工作溫度范圍:-55-+150