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- 貼片 IRFR3709ZPBF 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N 30V TO-252
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： to-252貼片場(chǎng)效應(yīng)管 to-252場(chǎng)效應(yīng)管貼片場(chǎng)效應(yīng)管
- 詢價(jià)
- 貼片 FR024N IRFR024NTRPBF - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 TO-252
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： to-252貼片場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管 to-252場(chǎng)效應(yīng)管
- 詢價(jià)
- AOS美國(guó)萬(wàn)代 AO4803A MOS管場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET
  
  品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AO4803A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng) aos場(chǎng)效應(yīng)管美國(guó)mos管
- 100-999 個(gè)
  
  ￥0.65
- 1000-2999 個(gè)
  
  ￥0.60
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.58
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- MGSF1N02ELT1/開(kāi)關(guān)/N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/SOT
  
  品牌:ON/安森美 | 型號(hào):MGSF1N02ELT1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.4W | 最大漏極電流ID:0.75A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 75n75場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.50
- 詢價(jià)
- 21N50C3 MOSFET 大功率場(chǎng)效應(yīng)管英飛凌 TO-220塑封進(jìn)口
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):21N50C3 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：塑封場(chǎng)效應(yīng)管大功率場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥100 個(gè)
  
  ￥7.15
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- MOS管場(chǎng)效應(yīng)管CEB4060
- 詢價(jià)
- 沛城鋰電池保護(hù)板方案—MOS管采用APM4412，APM4010NU
  
  類型:單片機(jī) | 品牌:ANPEC/茂達(dá) | 型號(hào):APM | 功率:- | 封裝:- | 批號(hào):-
- 詢價(jià)
- MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管 10N60 600V 10A 0.75Ω高壓
  
  品牌:OGFD | 型號(hào):10N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對(duì)管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 10n60場(chǎng)效應(yīng)管高壓場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥10000 個(gè)
  
  ￥0.01
- 詢價(jià)
- MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管 8N60 600V 7.5A 1.2Ω高壓
  
  品牌:OGFD | 型號(hào):8N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對(duì)管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 8n60場(chǎng)效應(yīng)管高壓場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥10000 個(gè)
  
  ￥0.01
- 詢價(jià)
- MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管 5N60 600V 4.5A 2.5Ω高壓
  
  品牌:OGFD | 型號(hào):5N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對(duì)管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 5n60場(chǎng)效應(yīng)管高壓場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥10000 個(gè)
  
  ￥0.07
- 詢價(jià)
- 逆變電源專用MOS管：IRF840PBF 進(jìn)口貨
  
  類型:其他IC | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF840PBF | 功率:DA | 封裝:TO-220 | 批號(hào):13+
- ≥1 平方米
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- 逆變電源MOS管 IRF1404PBF
  
  類型:其他IC | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF1404PBF | 功率:DA | 封裝:to-220 | 批號(hào):12+
- ≥200 平方米
  
  ￥0.10
- 詢價(jià)
- MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管AO3407 SOT-23
  
  品牌:HST | 型號(hào):AO3407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 最大漏極電流:-4.1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.25
- 詢價(jià)
- MOS管CM3405
  
  類型:其他IC | 品牌:CCMIC | 型號(hào):CM3405 | 封裝:SOT-23 | 批號(hào):2012+
- 詢價(jià)
- 2N7002DW/復(fù)合雙N溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET/60V 0.3A/SOT-363/英飛凌
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):2N7002DW | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管復(fù)合場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.15
- 詢價(jià)
- SSM3K15ACT/貼片N溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 30V 100mA CST3 0402/東芝
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):SSM3K15ACT | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：貼片mos管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管貼片場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥8000 個(gè)
  
  ￥0.25
- 詢價(jià)
- FQPF10N60C 600V 9.5A N溝道 MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 TO-220F全塑封直插
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQPF10N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：塑封場(chǎng)效應(yīng)管 n溝道場(chǎng)效應(yīng)管
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管IRFZ24NPBF 場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥50 個(gè)
  
  ￥1.30
- 詢價(jià)
- MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 FDD5N50U 500V 3A TO-252 FDD6030 30V 12A
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDD5N50U 仙童MOS管 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 5n50場(chǎng)效應(yīng)管 to-252場(chǎng)效應(yīng)管 3a場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1 個(gè)
  
  ￥1.00
- 詢價(jià)
- 仙童MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 FDD3570 80V 10A TO-252DPAK FDD3690-NL
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：仙童場(chǎng)效應(yīng)管 to-252場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥1 個(gè)
  
  ￥1.00
- 詢價(jià)