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品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDN359AN | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.5W | 最大漏極電流ID:2.7A | 最大源漏電壓VDSS:30V

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDG326P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大源漏電壓Vds:-20V | 最大耗散功率Pd:0.75W | 最大漏極電流Id:-1.5A

品牌:其他 | 型號:SI2302DS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDN335N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.5W | 最大漏極電流ID:1.7A | 最大源漏電壓VDSS:20V

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDG313N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ROHM/羅姆 | 型號:EM6K1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSP296 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1.79W | 最大漏極電流ID:1.1A | 最大源漏電壓VDSS:100V

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSP318S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1.8W | 最大漏極電流ID:2.6A | 最大源漏電壓VDSS:60V

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM5G01TU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:VID/視頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 肖特基二極管SBD參數:Vrm=25V，Io=0.5A | 場效應管MOSFET參數:Vds=-30V，Id=-1A，Pd=0.5W

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI8902EDB | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI5435DC | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:2.5W | 最大漏極電流ID:-5.6A | 最大源漏電壓VDSS:-30V

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3495DV | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1.1W | 最大漏極電流ID:-5.3A | 最大源漏電壓VDSS:-20V

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3447DV | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3445DV | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:ROHM/羅姆 | 型號:RTR025P02 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1 | 最大漏極電流ID:-2.5A | 最大源漏電壓VDSS:-20V

品牌:ROHM/羅姆 | 型號:RTQ025P02 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-2.5A | 最大源漏電壓VDSS:-20V | 應用范圍:放大

品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號:AO7401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大耗散功率PD:0.35W | 最大漏極電流ID:-1.2A | 最大源漏電壓VDSS最大:-30V

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO6402 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率Pd:2W | 最大漏極電流Id:6.9A | 最大源漏電壓Vds:60V

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:3SK259 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:TUN/調諧 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.1W | 最大漏極電流ID:0.03A | 最大源漏電壓VDSS:13.5V

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:3SK224 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:0.025A | 最大源漏電壓VDSS:18V