品牌:ST/意法 | 型號:STP4NK60ZFP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1-99 個
￥1.00
100-999 個
￥0.90
≥1000 個
￥0.84
品牌:ST/意法 | 型號:STD5NM60T4 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:5
≥1 個
￥0.10
品牌:ST/意法 | 型號:STP4NK60ZFP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1000-4999 個
￥1.50
5000-9999 個
￥1.45
≥10000 個
￥1.40
品牌:ST/意法 | 型號:STD4NK60Z-1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
￥0.10
品牌:ST/意法 | 型號:P4NK60ZFP | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 擊穿電壓VCBO:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 截止頻率fT:1
≥3000 千克
￥1.00
品牌:ST/意法 | 型號:STP4NK60ZP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:直插TO-220
≥50 個
￥1.30
品牌:ST/意法 | 型號:STD4NK60ZT4 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:標準 | 跨導:標準 | 開啟電壓:標準 | 夾斷電壓:標準 | 低頻噪聲系數:標準 | 極間電容:標準 | 最大耗散功率:標準
≥100 個
￥2.00
品牌:ST/意法 | 型號:STB70NF03LT4 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:10 | 跨導:50 | 開啟電壓:10 | 夾斷電壓:10 | 低頻噪聲系數:60 | 極間電容:10 | 最大耗散功率:20
≥1000 個
￥2.50
品牌:ST/意法 | 型號:STP60NF06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:60A | 開啟電壓:2-4 | 夾斷電壓:0 | 極間電容:1660 | 最大耗散功率:110W
≥50 個
￥1.60
品牌:ST/意法 | 型號:STP4NK60ZFP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:ST原裝正品 | 跨導:ST原裝正品 | 開啟電壓:ST原裝正品 | 夾斷電壓:ST原裝正品 | 低頻噪聲系數:ST原裝正品 | 極間電容:ST原裝正品 | 最大耗散功率:ST原裝正品
品牌:ST/意法 | 型號:D4NK60Z-1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:** | 最大漏極電流:** | 開啟電壓:**
≥4000 個
￥1.20
品牌:ST/意法 | 型號:STD5NK60ZT4 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:** | 跨導:** | 開啟電壓:** | 夾斷電壓:** | 低頻噪聲系數:** | 極間電容:** | 最大耗散功率:**
≥2500 個
￥2.50
品牌:ST/意法 | 型號:STP4NK60ZFP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
￥1.00
品牌:ST/意法 | 型號:STP4NK60Z | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
10-199 個
￥1.90
200-1999 個
￥1.50
≥2000 個
￥1.30
品牌:ST/意法 | 型號:STD5NK60ZT4 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:穩壓IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-252
≥5000 個
￥1.20
品牌:ST/意法 | 型號:STD4NK60 STD4NK60ZT4 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號:12+ 全新環保 只做原裝 | 封裝:TO252
≥1000 個
￥1.00
品牌:ST/意法 | 型號:STGD7NC60HT4 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:600 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
≥2033 個
￥4.00
品牌:ST/意法 | 型號:STP4NK60ZFP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:4A | 跨導:3S | 開啟電壓:3-4.5 | 夾斷電壓:0 | 最大耗散功率:25W
≥50 個
￥1.30
品牌:ST/意法 | 型號:STD5NM60T4 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5000 | 開啟電壓:30 | 夾斷電壓:600 | 最大耗散功率:94000