品牌:華晶 | 型號:CS4N60A3HD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:4000 | 低頻噪聲系數:0 | 極間電容:0
≥10000 個
¥0.86
品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:HGTG30N60A4D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 批號:1412+ | 封裝:TO-247
≥30 個
¥20.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF7N80C | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 用途:D-G雙柵四極 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:10 | 低頻噪聲系數:10 | 極間電容:10
≥1000 個
¥1.60
品牌:韓國FH | 型號:FHD4N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥2000 個
¥1.10
品牌:ST/意法 | 型號:STB70NF03LT4 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:10 | 跨導:50 | 開啟電壓:10 | 夾斷電壓:10 | 低頻噪聲系數:60 | 極間電容:10 | 最大耗散功率:20
≥1000 個
¥2.50
品牌:其他 | 型號:4n60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1
≥1 千克
¥0.82
品牌:美格納 | 型號:MDF4N60TH | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFZ48 | 用途:NF/音頻(低頻) | 最大漏極電流:8 | 跨導:40 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 開啟電壓:200 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:60 | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:2 | 極間電容:6 | 最大耗散功率:4
≥1 個
¥1.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:60N03GH | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:5 | 跨導:5 | 開啟電壓:5 | 夾斷電壓:5 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:5 | 最大耗散功率:5
≥50 個
¥0.01
品牌:ST/意法 | 型號:STGD7NC60HT4 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:600 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
≥2033 個
¥4.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HGTG30N60A4D,30N60A4D,30N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:標準 | 跨導:標準 | 開啟電壓:標準 | 夾斷電壓:標準 | 低頻噪聲系數:標準 | 極間電容:標準 | 最大耗散功率:標準
≥100 個
¥22.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP4N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 跨導:22 | 最大漏極電流:22 | 開啟電壓:22 | 夾斷電壓:22 | 低頻噪聲系數:22 | 極間電容:22 | 最大耗散功率:22
≥1000 個
¥0.01
品牌:IR/國際整流器 | 型號:2N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥100 個
¥0.30
品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:2N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:通信IC | 批號:11 | 封裝:TO-220 to-252 to-251
1000-4999 個
¥1.30
≥5000 個
¥1.20