品牌:UTC/友順 | 型號(hào):UF830 4N60L 7N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導(dǎo):. | 開啟電壓:TO-220/252 | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
≥1 個(gè)
￥1.00
品牌:UTC/友順 | 型號(hào):4N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導(dǎo):TO-252/TO-220 | 開啟電壓:600V | 夾斷電壓:4A | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
≥1 個(gè)
￥0.60
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDPF4N60NZ | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值
≥5 個(gè)
￥0.10
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FCD4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥50 個(gè)
￥2.00
品牌:ROHM/羅姆 | 型號(hào):RHK003N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.3A | 最大源漏電壓VDSS:60V | 應(yīng)用范圍:放大
≥3000 個(gè)
￥0.50
品牌:ST/意法 | 型號(hào):P4NK60ZFP | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 擊穿電壓VCBO:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 截止頻率fT:1
≥3000 千克
￥1.00
品牌:士蘭原裝 | 型號(hào):4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 功率:標(biāo)準(zhǔn) | 批號(hào):2013+ | 封裝:TO-251/252/220
≥2000 個(gè)
￥0.83
品牌:國(guó)產(chǎn) | 型號(hào):1N60/2N60/4N60/8N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:. | 低頻跨導(dǎo):.
品牌:HX | 型號(hào):HX1N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 跨導(dǎo):70 | 最大漏極電流:1200 | 開啟電壓:4 | 夾斷電壓:2 | 低頻噪聲系數(shù):30 | 極間電容:30 | 最大耗散功率:1000
1000-9999 個(gè)
￥0.35
10000-29999 個(gè)
￥0.30
≥30000 個(gè)
￥0.28
品牌:HX | 型號(hào):HX2N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導(dǎo):70 | 最大漏極電流:2000 | 開啟電壓:10 | 夾斷電壓:10 | 低頻噪聲系數(shù):30 | 極間電容:35 | 最大耗散功率:4
1000-9999 個(gè)
￥0.70
10000-19999 個(gè)
￥0.68
≥20000 個(gè)
￥0.67
品牌:HX | 型號(hào):HX4N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 跨導(dǎo):70 | 最大漏極電流:11200 | 開啟電壓:4 | 夾斷電壓:2 | 低頻噪聲系數(shù):30 | 極間電容:50 | 最大耗散功率:49000
80-9999 個(gè)
￥0.80
10000-27999 個(gè)
￥0.70
≥28000 個(gè)
￥0.67
品牌:HX | 型號(hào):HX4N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 跨導(dǎo):70 | 最大漏極電流:11200 | 開啟電壓:4 | 夾斷電壓:2 | 低頻噪聲系數(shù):30 | 極間電容:50 | 最大耗散功率:49000
2500-9999 個(gè)
￥0.75
10000-29999 個(gè)
￥0.70
≥30000 個(gè)
￥0.68
批號(hào):2013+ | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 型號(hào):4N60 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 品牌:士蘭原裝正品 | 用途:S/開關(guān) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝:TO-220/TO-220F/252
≥2500 個(gè)
￥0.80
品牌:國(guó)產(chǎn)全新 | 型號(hào):4N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個(gè)
￥0.50
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SiHF15N60E-GE3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:9.5A | 開啟電壓:4 | 夾斷電壓:±30
品牌:ST/意法 | 型號(hào):STP4NK60ZP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
≥1000 個(gè)
￥1.60