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品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF1N60 FQPF2N60 FQPF3N60 FQPF4N60 FQPF5N60 F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HGTG30N60A4D | 封裝:TO-247 | 批號:12+

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP4N60 FQP5N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF4N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FCP4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDPF4N60NZ | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HGTG12N60A4D G12N60A4D | 功率:22 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝:TO220 | 批號:新年份 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 產品類型:其他 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:4 | 跨導:4 | 開啟電壓:4 | 夾斷電壓:4 | 低頻噪聲系數:4 | 極間電容:4 | 最大耗散功率:4

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:4N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HGTG20N60A4D 20N60A4D | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝:TO3P | 批號:新年份 | 最大漏極電流:22 | 跨導:22 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:HEMT高電子遷移率 | 批號:14+ | 封裝:TO-220F

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF4N60C FQPF5N60C FQPF8N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:8A | 開啟電壓:600

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP4N90 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FCD4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:HEMT高電子遷移率

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HGTG30N60A4D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SSS4N60B | 功率:1 | 用途:MW/微波 | 封裝:TO-220F | 批號:11+ | 最大漏極電流:1 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 低頻噪聲系數:1

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HGTG40N60A4D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HGT1S20N60A4S9A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP5N60/5N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5000 | 跨導:- | 開啟電壓:2-4 | 夾斷電壓:650 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:- | 最大耗散功率:-