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品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFPC60LC IRFPC40 IRFPC50LC IRFP120 IRFP140 IRFP | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:16A | 開啟電壓:4 | 極間電容:3500

品牌:UTC/友順 | 型號:UF830 4N60L 7N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:TO-220/252 | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

品牌:UTC/友順 | 型號:4N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導:TO-252/TO-220 | 開啟電壓:600V | 夾斷電壓:4A | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:4 | 跨導:4 | 開啟電壓:4 | 夾斷電壓:4 | 低頻噪聲系數:4 | 極間電容:4 | 最大耗散功率:4

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF4N60C FQPF5N60C FQPF8N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:8A | 開啟電壓:600

品牌:MAGNACHIP美格納 | 型號:MDP4N60TH | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:TO-220

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HGTG40N60A4D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G30N60A4D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

產品類型:其他 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G30N60A4 RHRG3060 G15N60RUFD G15N60 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 開啟電壓:標準 | 用途:MIN/微型 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:標準 | 導電方式:增強型 | 極間電容:標準

品牌:士蘭原裝 | 型號:4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 功率:標準 | 批號:2013+ | 封裝:TO-251/252/220

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQU1N60C FQU2N60C FQU4N60C FQU5N60C FQU6N60C | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:STD4NK60ZT4 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:標準 | 跨導:標準 | 開啟電壓:標準 | 夾斷電壓:標準 | 低頻噪聲系數:標準 | 極間電容:標準 | 最大耗散功率:標準

品牌:WISDOM | 型號:wfd2n60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:AO | 型號:AOB4S60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:UTC | 型號:4N60G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SSP4N60/FQP4N60C | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 批號:10+ | 封裝:TO-220

品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:FQP4N60C，FQPF4N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 批號:2011+ | 封裝:TO220，TO220F

批號:2013+ | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 型號:4N60 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 品牌:士蘭原裝正品 | 用途:S/開關 | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝:TO-220/TO-220F/252

品牌:UTC/友順 | 型號:2n60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:線性 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:Federick美國 | 型號:4N60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:*