品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF1N60 FQPF2N60 FQPF3N60 FQPF4N60 FQPF5N60 F | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥1.00
品牌:ST/意法 | 型號:STP4NK60ZFP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1-99 個
¥1.00
100-999 個
¥0.90
≥1000 個
¥0.84
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK4A60D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥2.10
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRGS4B60KD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥1.50
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:K4A60DA | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:驅動IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F
≥5000 個
¥1.50
品牌:UTC/友順 | 型號:4N60-B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:1
≥2000 個
¥0.80
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP4N60 FQP5N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥0.80
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF4N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
¥1.20
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FCP4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥1.00
品牌:ST/意法 | 型號:STD5NM60T4 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:5
≥1 個
¥0.10
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDPF4N60NZ | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值
≥5 個
¥0.10
類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HGTG12N60A4D G12N60A4D | 功率:22 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝:TO220 | 批號:新年份 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 產品類型:其他 | 材料:P-FET硅P溝道
≥1 個
¥2.00
品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD4N60F,SVD4N60D,SVD4N60T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HI-REL/高可靠性 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:4A | 開啟電壓:600
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRG4PC40WPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:600 | 最大漏極電流:14065 | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:600 | 低頻噪聲系數:60 | 極間電容:600 | 最大耗散功率:65
≥1 個
¥9.50
品牌:華潤華晶 | 型號:CS10N60A8HD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:10 | 開啟電壓:2-4 | 最大耗散功率:193
≥10000 個
¥1.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FCD4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥50 個
¥2.00
品牌:ROHM/羅姆 | 型號:RHK003N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.3A | 最大源漏電壓VDSS:60V | 應用范圍:放大
≥3000 個
¥0.50
品牌:ST/意法 | 型號:STP4NK60ZFP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1000-4999 個
¥1.50
5000-9999 個
¥1.45
≥10000 個
¥1.40
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:SPD15N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥0.10
品牌:Matsuki Elec(日本松木電機) | 型號:ME4N60F | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道