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品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD4N60 | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號:11+ | 封裝:TO220

品牌:進口/臺灣國產(chǎn) | 型號:FQPF4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:HEMT高電子遷移率

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FDPF4N60NZ | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HGTG12N60A4D G12N60A4D | 功率:22 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝:TO220 | 批號:新年份 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 產(chǎn)品類型:其他 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:WISDOM | 型號:WFF4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MIN/微型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 類型:其他IC

品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:HGTG30N60A4D | 溝道類型:其他 | 類型:電源模塊 | 輸入電壓:-- | 批號:12+ | 產(chǎn)品類型:其他

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD4N60F，SVD4N60D，SVD4N60T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HI-REL/高可靠性 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:4A | 開啟電壓:600

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:4 | 跨導:4 | 開啟電壓:4 | 夾斷電壓:4 | 低頻噪聲系數(shù):4 | 極間電容:4 | 最大耗散功率:4

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:4N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HGTG20N60A4D 20N60A4D | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝:TO3P | 批號:新年份 | 最大漏極電流:22 | 跨導:22 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插

品牌:Mitsubishi/三菱 | 型號:MGF4714CP | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:MES金屬半導體

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:HEMT高電子遷移率 | 批號:14+ | 封裝:TO-220F

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQPF4N60C FQPF5N60C FQPF8N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:8A | 開啟電壓:600

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRG4PC40WPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導:600 | 最大漏極電流:14065 | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:600 | 低頻噪聲系數(shù):60 | 極間電容:600 | 最大耗散功率:65

類型:MDP4N60TH | 品牌:MAGNACHIP | 型號:MDP4N60TH | 功率:22 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝:TO220 | 批號:新年份 | 跨導:22 | 最大漏極電流:22 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP4N90 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道

品牌:華潤華晶 | 型號:CS10N60A8HD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:10 | 開啟電壓:2-4 | 最大耗散功率:193