品牌:PJ/普羅強生 | 型號:4N65 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1(pF) | 跨導:4.7S(μS) | 開啟電壓:2-4(V) | 夾斷電壓:670(V) | 低頻噪聲系數:4.7S(μS) | 極間電容:1(pF) | 最大耗散功率:60W(mW)
≥100 個
¥0.01
品牌:PJ/普羅強生 | 型號:N型、P型MOSFET | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1-100A | 跨導:1 | 開啟電壓:2-4 | 夾斷電壓:60-680 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:2-300W
≥100 個
¥0.01
品牌:PJ/普羅強生 | 型號:7N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:7A(mA) | 跨導:6.5S(μS) | 開啟電壓:2-4(V) | 夾斷電壓:620(V) | 低頻噪聲系數:1(dB) | 極間電容:1(pF) | 最大耗散功率:100W(mW)
≥100 個
¥0.01
品牌:PJ/普羅強生 | 型號:4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:4A(mA) | 跨導:4.7S(μS) | 開啟電壓:2-4(V) | 夾斷電壓:620(V) | 低頻噪聲系數:1(dB) | 極間電容:1(pF) | 最大耗散功率:60W(mW)
≥100 個
¥0.01