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品牌:PJ/普羅強生 | 型號:4N65 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1（pF） | 跨導:4.7S（μS） | 開啟電壓:2-4（V） | 夾斷電壓:670（V） | 低頻噪聲系數:4.7S（μS） | 極間電容:1（pF） | 最大耗散功率:60W（mW）

品牌:PJ/普羅強生 | 型號:N型、P型MOSFET | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1-100A | 跨導:1 | 開啟電壓:2-4 | 夾斷電壓:60-680 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:2-300W

品牌:PJ/普羅強生 | 型號:7N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:7A（mA） | 跨導:6.5S（μS） | 開啟電壓:2-4（V） | 夾斷電壓:620（V） | 低頻噪聲系數:1（dB） | 極間電容:1（pF） | 最大耗散功率:100W（mW）

品牌:PJ/普羅強生 | 型號:4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:4A（mA） | 跨導:4.7S（μS） | 開啟電壓:2-4（V） | 夾斷電壓:620（V） | 低頻噪聲系數:1（dB） | 極間電容:1（pF） | 最大耗散功率:60W（mW）