品牌:UTC/友順 | 型號(hào):4N60-B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:1
≥2000 個(gè)
￥0.80
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQP4N60 FQP5N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
￥0.80
品牌:UTC/友順 | 型號(hào):UF830 4N60L 7N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導(dǎo):. | 開啟電壓:TO-220/252 | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
≥1 個(gè)
￥1.00
品牌:UTC/友順 | 型號(hào):4N60L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導(dǎo):TO-252/TO-220 | 開啟電壓:600V | 夾斷電壓:4A | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
≥1 個(gè)
￥0.60
品牌:ST/意法 | 型號(hào):STD5NM60T4 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 極間電容:5
≥1 個(gè)
￥0.10
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:4 | 跨導(dǎo):4 | 開啟電壓:4 | 夾斷電壓:4 | 低頻噪聲系數(shù):4 | 極間電容:4 | 最大耗散功率:4
1000-4999 個(gè)
￥0.90
≥5000 個(gè)
￥0.85
品牌:華潤華晶 | 型號(hào):CS10N60A8HD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:10 | 開啟電壓:2-4 | 最大耗散功率:193
≥10000 個(gè)
￥1.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FCD4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥50 個(gè)
￥2.00
品牌:ROHM/羅姆 | 型號(hào):RHK003N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.3A | 最大源漏電壓VDSS:60V | 應(yīng)用范圍:放大
≥3000 個(gè)
￥0.50
類型:其他IC | 品牌:Alpha/阿爾法 | 型號(hào):AOT4N60 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝:0 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 應(yīng)用范圍:其他
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):SPD15N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
￥0.10
品牌:Matsuki Elec（日本松木電機(jī)） | 型號(hào):ME4N60F | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:華晶 | 型號(hào):CS25N06B4 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:25000 | 開啟電壓:0.7 | 夾斷電壓:60
≥10000 個(gè)
￥1.14
品牌:ST/意法 | 型號(hào):P4NK60ZFP | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 擊穿電壓VCBO:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 截止頻率fT:1
≥3000 千克
￥1.00
品牌:ST/意法 | 型號(hào):STD4NK60ZT4 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:標(biāo)準(zhǔn) | 跨導(dǎo):標(biāo)準(zhǔn) | 開啟電壓:標(biāo)準(zhǔn) | 夾斷電壓:標(biāo)準(zhǔn) | 低頻噪聲系數(shù):標(biāo)準(zhǔn) | 極間電容:標(biāo)準(zhǔn) | 最大耗散功率:標(biāo)準(zhǔn)
≥100 個(gè)
￥2.00
品牌:ST/意法 | 型號(hào):STB70NF03LT4 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:10 | 跨導(dǎo):50 | 開啟電壓:10 | 夾斷電壓:10 | 低頻噪聲系數(shù):60 | 極間電容:10 | 最大耗散功率:20
≥1000 個(gè)
￥2.50
品牌:國產(chǎn) | 型號(hào):1N60/2N60/4N60/8N60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:. | 低頻跨導(dǎo):.
品牌:UTC | 型號(hào):4N60G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
品牌:華晶 | 型號(hào):CS4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1
≥100 千克
￥0.78